Артикул: 1161098

Раздел:Технические дисциплины (104769 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3674 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1042 шт.)

Название или условие:
ЗАДАЧА № 1.
Расчет параметров полупроводниковых диодов.
Вариант 1

Описание:
Порядок выполнения задания.

№ варианта в таблице 2 определяется № студента в списке группы.
В вариантах три формулы описывающих прямую ветвь ВАХ:
1. Iпр = А(eUпр/φ-1); 2. Iпр = А- Аcos(Uпр/φ); 3. Iпр = А∙U2пр. В таблице они даны под номером. Во второй формуле под cos размерность может быть в градусах или в радианах, это указано в таблице. В третьей формуле А имеет размерность [мА/В2]
При построении прямой ветви ВАХ оси имеют длину >10 см, а деления максимальных значений Im и Um должны находиться в конце осей. Величина Im высчитывается по заданной формуле при подстановке в нее значения Um и округления результата. Поставить промежуточные деления. По формуле рассчитать 3 – 5 точек и построить график заданной функции (прямой ветви ВАХ). Отметить на ней РТ1 и РТ2. Провести в этих точках касательные к кривой ВАХ. Подсчитать статические и динамические сопротивления в рабочих точках 1 и 2 (Rст1; Rст2; Rд1; Rд2).
Размер графика обратной ветви ВАХ ПП диода более 10х10 см.
Деления по оси Uобр определяются значением U5 РТ3, а деления по оси Iобр значениями I0 и I3, заданными вариантом. Построить прямую, проходящую через РТ3, и прямую через РТ4. Определить статические сопротивления в РТ3 и РТ4 (Rст3; Rст4). Для прямых проходящих черех начало координат статические и динамические сопротивления равны.
Rст3=U5/I0 кОм; Rст4=Uстб/I3 кОм; Rд4=∆Uстб/I3 кОм из треугольника.
Подсчитанные данные занести в таблицу 1.


Изображение предварительного просмотра:

ЗАДАЧА № 1. <br />Расчет параметров полупроводниковых диодов. <br /><b>Вариант 1</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Практическая работа № 1
Моделирование электрических цепей

Цель работы: научиться создавать расчетные схемы и выполнять их расчет по постоянному току, по переменному току, а также производить анализ переходных процессов.
Задачи:
- исследовать вольтамперную характеристику диода;
Выбираем диод 1N6306R.

Имеем диоды, выполненные из полупроводниковых материалов германия и кремния.
А) Докажите, что выполняется соотношение: (см. рисунок) Где rдSi; rдGe – дифференциальные сопротивления переходов. Доказательство провести для условий, что составляющие тепловых токов и внешние напряжения, приложенные к диодам, одинаковые
Б) Рассчитайте температурную зависимость отношения дифференциальных сопротивлений пункта а) при изменении температуры от -40 до 80 °С.

Задача 2
Определить токи транзистора IБ, IЭ, IК и напряжения на его зажимах UБ, UЭ, UК относительно общей шины (φ=0)
Вариант 1
Дано
Rк=4,7 кОм;
Rэ=3,3 кОм;
V=10 В;
Uб=8 В;

Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для толстой базы выполняются условия Cбrд=Cб•φT/I, Cдrд=τ;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие
Cбrд=Cдrд;
Примите Сб = 23 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.
10. Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, являются (укажите правильный ответ – 2 балла):
10.1) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе
10.2) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
10.3) зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении на коллекторе
10.4) зависимость тока коллектора от напряжения база-коллектор при постоянном токе эмиттера
10.5) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжениии на базе
Задача №31
Определить коэффициент передачи тока базы β. Дано: Ек = 50 В; Rб = 100 кОм; Rк = 5 кОм; Uбэ = 0,9 В; Uкэ = 8,93 В.

Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой
Приведите графическое изображение вольт-амперных характеристик представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на них его основные параметры и дайте их определение.
По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.