Артикул: 1161098

Раздел:Технические дисциплины (104769 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3674 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1042 шт.)

Название или условие:
ЗАДАЧА № 1.
Расчет параметров полупроводниковых диодов.
Вариант 1

Описание:
Порядок выполнения задания.

№ варианта в таблице 2 определяется № студента в списке группы.
В вариантах три формулы описывающих прямую ветвь ВАХ:
1. Iпр = А(eUпр/φ-1); 2. Iпр = А- Аcos(Uпр/φ); 3. Iпр = А∙U2пр. В таблице они даны под номером. Во второй формуле под cos размерность может быть в градусах или в радианах, это указано в таблице. В третьей формуле А имеет размерность [мА/В2]
При построении прямой ветви ВАХ оси имеют длину >10 см, а деления максимальных значений Im и Um должны находиться в конце осей. Величина Im высчитывается по заданной формуле при подстановке в нее значения Um и округления результата. Поставить промежуточные деления. По формуле рассчитать 3 – 5 точек и построить график заданной функции (прямой ветви ВАХ). Отметить на ней РТ1 и РТ2. Провести в этих точках касательные к кривой ВАХ. Подсчитать статические и динамические сопротивления в рабочих точках 1 и 2 (Rст1; Rст2; Rд1; Rд2).
Размер графика обратной ветви ВАХ ПП диода более 10х10 см.
Деления по оси Uобр определяются значением U5 РТ3, а деления по оси Iобр значениями I0 и I3, заданными вариантом. Построить прямую, проходящую через РТ3, и прямую через РТ4. Определить статические сопротивления в РТ3 и РТ4 (Rст3; Rст4). Для прямых проходящих черех начало координат статические и динамические сопротивления равны.
Rст3=U5/I0 кОм; Rст4=Uстб/I3 кОм; Rд4=∆Uстб/I3 кОм из треугольника.
Подсчитанные данные занести в таблицу 1.


Изображение предварительного просмотра:

ЗАДАЧА № 1. <br />Расчет параметров полупроводниковых диодов. <br /><b>Вариант 1</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задание 3
В режиме насыщения биполярного транзистора

• Эмиттерный переход открыт, коллекторных закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты.
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 2,0 мА, коэффициент усиления тока базы 39. Чему равен ток коллектора?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до сотых долей.
Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2.
Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.

Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором на базу транзистора подаётся запирающее напряжение, в результате чего ток через транзистор протекает только в течении части полупериода входного напряжения?
• Классу А
• Классу В
• Классу С
• Классу АВ
Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Ток коллектора биполярного транзистора Iк = 1,95 мА, а ток базы Iб = 0,05 мА. Чему равен коэффициент передачи тока эмиттера?
В ответе запишите результаты вычислений с точностью до тысячных долей.
С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания)
• Увеличивается
• Уменьшается
• Остается неизменным
• Задержка выключения не существует
Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются
• МОП-транзисторы с индуцируемым каналом
• МОП-транзисторы с встроенным каналом
• МОП-транзисторы любого типа
• Любые полевые транзисторы, включая унитроны
Сколько режимов работы есть у биполярного транзистора? Укажите возможные состояния p-n-перехода транзистора
• Один
• Два
• Три
• Четыре
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала