Артикул №1160666
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 2. В собственном германии концентрация атомов равна 4,5⋅1028 м-3. При T = 300 К один из каждых 2⋅109 атомов ионизирован. Подвижности электронов и дырок при этой температуре равны соответственно 0,39 и 0,19 м2/(В⋅с). Определить: а) удельную проводимость собственного германия; б) удельную проводимость германия, легированного элементом V группы, если на каждые 108 атомов германия приходится один атом примеси.


Артикул №1160665
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 9. Рассчитать дебаевскую длину экранирования в кремнии с удельным сопротивлением ρ = 15 Ом⋅см и сравнить с глубиной проникновения электрического поля, Т = 300 K


Артикул №1160664
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 8. Найти, как изменится объемное положение уровня Ферми φ0 в электронном арсениде галлия GaAs с ρ = 1 Ом•см при изменении температуры от Т = 300 К до Т = 77 К


Артикул №1160663
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 4. Р − n-переход выполнен из собственного германия с концентрацией ni = 1013см-3, легированного акцепторной примесью с концентрацией Na = 1017 см-3 и донорной примесью с концентрацией Nd = 5⋅1016 см-3. Коэффициенты диффузии для неосновных электронов и дырок соответственно равны 100 и 50 см2/с, диффузионные длины Ln = Lp = 0,8 см. Определить: а) контактную разность потенциалов ϕk; б) плотность обратного тока насыщения j0 при T = 300 К.


Артикул №1160662
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 5. Идеальный кремниевый р − n-переход имеет обратный ток насыщения I0 = 30 мкА при T = 125°С. Определить дифференциальное сопротивление диода при прямом и обратном напряжениях, равных 0,2 В.


Артикул №1160661
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 1. Уровень Ферми полупроводника находится на 0,3 эВ ниже дна зоны проводимости. Какова вероятность того, что при комнатной температуре энергетические уровни, расположенные на расстоянии 3kT выше дна зоны проводимости, заняты электронами? Какова вероятность того, что уровень у потолка валентной зоны содержит дырки, если ширина запрещенной зоны 1,1 эВ?


Артикул №1160660
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 2. Определить: а) какая концентрация атомов-акцепторов (на 1 см3) требуется для получения в германии удельной проводимости 1 мСм/см при Т = 300 К; б) каково при этом соотношение атомов акцепторной примеси и атомов германия; в) какова будет удельная проводимость, если германий содержит в такой же пропорции атомы донорной примеси?


Артикул №1160659
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 8. Найти концентрацию легирующей акцепторной примеси для кремния Si и германия Ge, при которой наступает вырождение концентрации свободных носителей заряда при комнатной температуре Т = 300 К.


Артикул №1160658
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 9. Рассчитать и сравнить дебаевские длины экранирования LD в собственных полупроводниках – кремнии Si, германии Ge, арсениде галлия GaAs, антимониде индия InSb при комнатной температуре.
Поисковые тэги: Закон Дебая

Артикул №1160657
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 5. Для идеального р − n-перехода при T = 300 К определить: а) какое необходимо приложить напряжение к переходу, чтобы получить прямой ток, равный обратному току насыщения I0; б) какое необходимо прямое напряжение для получения тока, в 100 раз большего, чем обратный ток насыщения I0


Артикул №1160656
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 5. Найти барьерную емкость германиевого p − n-перехода, если удельное сопротивление р-области ρр = 3,5 Ом⋅см, контактная разность потенциалов ϕk = 0,35 В, приложенное обратное напряжение V = 5 В и площадь поперечного сечения p−n-перехода S = 1 мм2.


Артикул №1160655
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 4. Лавинный фотодиод с коэффициентом умножения М = 20 работает на длине волны λ = 1,5 мкм. Рассчитать квантовый выход и выходной фототок прибора, если его чувствительность R на этой длине волны равна 0,6 А/Вт при потоке 1010 фотонов/с.


Артикул №1160654
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 3. Определить отношение электронного дрейфового тока к дырочному дрейфовому току при комнатной температуре (T = 300 К) для: а) собственного германия; б) собственного кремния; в) германия n-типа с удельным сопротивлением ρ = 5 Ом⋅см; г) кремния n-типа с удельным сопротивлением ρ = 5 Ом⋅см; д) германия р-типа с удельным сопротивлением ρ = 5 Ом⋅см.


Артикул №1160653
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 2. Собственный германий при T = 300 К содержит 4,4⋅1028 атомов на метр кубический и 2,5⋅1019 электронов на метр кубический. Чему равна концентрация дырок и электронов проводимости в примесном германии, содержащем 1 атом донорных примесей на 109 основных атомов и такую же концентрацию акцепторных примесей?


Артикул №1160652
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 1. Вычислить положение уровня Ферми относительно дна зоны проводимости при температуре Т = 400 К для кристалла германия, содержащего 5⋅1016 атомов сурьмы в 1 см3.


Артикул №1160651
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 6. Резкий германиевый p-n переход имеет площадь поперечного сечения S = 1 мм2. Область p сильно легирована, так что ее удельная проводимость в несколько раз больше удельной проводимости n-области. Удельное сопротивление n-области равно 5 Ом•см, а время жизни носителей заряда τp = 50 мкс. Определить: а) обратный ток насыщения I0; б) прямое напряжение, при котором ток равен 1 мА.


Артикул №1160650
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 5. Кремниевый сплавной p-n переход имеет площадь поперечного сечения S = 1 мм2 и барьерную емкость C = 300 пФ, если подводится обратное напряжение V = 10 В. Найти: а) изменение емкости, если обратное напряжение становится равным 20 В; б) максимальную напряженность электрического поля в обедненном носителями заряда слое при обратном напряжении, равном 10 В.


Артикул №1160649
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 3. Оцените подвижность электронов в кремнии при температуре T = 300 К, если коэффициент диффузии электронов Dn = 31 см2/с.


Артикул №1160648
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 2. Определить концентрацию электронов и дырок в образце германия при T = 300 К, который имеет концентрацию донорных атомов Nd = 2•1014 см-3 и концентрацию акцепторных атомов Nа = 3•1014 см-3.


Артикул №1160647
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2023)
Задача 1. В кристалле германия n-типа на каждые 103 атомов германия приходится один атом донорной примеси. Полагая, что эффективная масса электрона m равна 1/2 массы покоя электрона, найти положение уровня Ферми относительно дна зоны проводимости при комнатной температуре (T = 300 К) (а); при какой концентрации донорной примеси уровень Ферми совпадает с дном зоны проводимости (б)?


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 200000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:

    ОГРНИП308774632500263