Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >Физические основы электроники (ФОЭ)

Найдено 1129 работ в категории: Технические дисциплины >Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >Физические основы электроники (ФОЭ)


Артикул №1167662 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 16.07.2025)	Лабораторная работа № 6 Исследование полевого транзистора с управляющим р-n-переходом 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов. Поисковые тэги: Electronics WorkBench
Артикул №1167661 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 16.07.2025)	Лабораторная работа № 5 Исследование тиристора 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик. Поисковые тэги: Electronics WorkBench
Артикул №1167660 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 16.07.2025)	Лабораторная работа № 3, 4 Исследование характеристик биполярного транзистора 1. Цель работы Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника. Поисковые тэги: Electronics WorkBench
Артикул №1167659 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 16.07.2025)	Лабораторная работа № 2 Исследование полупроводникового стабилитрона 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам. Поисковые тэги: Стабилитроны, Electronics WorkBench
Артикул №1167658 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 16.07.2025)	Лабораторная работа № 1 Исследование выпрямительного полупроводникового диода 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характеристикам. Поисковые тэги: Electronics WorkBench
Артикул №1167583 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 14.07.2025)	Вопрос 6. Какой коэффициент усиления α транзистора при включении с общей базой необходимо выбрать, чтобы коэффициент усиления β при включении с общим эмиттером был равен (Вариант 6) 90. Привести схемы
Артикул №1167389 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 08.07.2025)	Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SR_i.
Артикул №1167373 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 08.07.2025)	Е1=0.8 В; Е2=15 В; RЭ=8 К; RК=16 К; β=95. Определить: iЭ, iБ
Артикул №1167369 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 08.07.2025)	Задача 2 Вариант 17 E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95. Определить: iэ, iб
Артикул №1167368 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 08.07.2025)	Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98 Определить Iэ
Артикул №1166771 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 31.05.2025)	Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 10¹⁵ см^-3 имеет площадь p-n перехода S = 10^-4 см² и максимальную частоту fмакс = 5*10⁹ Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить: 1. Сопротивление базы диода. 2. Толщину базы диода. 3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении. 4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы. 5. Построить Вольт-амперную характеристику.
Артикул №1166683 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 24.05.2025)	В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Uвх = -7 В Uвых = -12 В.
Артикул №1166630 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 15.05.2025)	Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В. При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы. N=5
Артикул №1166526 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 01.06.2025)	Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μ_p = 1700 см²/В•с. Толщина базы W = 50 мкм. 1. Определить концентрации носителей. 2. Определить допустимое обратное напряжение. 3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп. 4. Построить вольт-амперную характеристику. 5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Артикул №1166506 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 10.05.2025)	Кремниевый p-n-p транзистор с толщиной базы W = 25 мкм содержит N_Dб = 5•10¹⁵ см^-3 доноров в базе. Определить коэффициент передачи тока базы, если известно, что время жизни носителей τ_n = τ_p = 6,0 мкс, а удельное сопротивление эмиттерной области ρ_p = 0,01 Ом•см. Определить коэффициент обратной связи по напряжению для Uк = 6 В.
Артикул №1165680 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 06.10.2024)	1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе. 2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора. 3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме. 4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г). 5. Сделать выводы. Вариант 5а ( МП10А )
Артикул №1165626 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 24.09.2024)	Вариант №36 На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы: ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В. Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Артикул №1165595 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 12.09.2024)	1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 17 Дано Транзистор ГТ321Г Uкэ=7,5 В; Iб=1 мА;
Артикул №1165562 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 30.08.2024)	Лабораторная работа №2 «ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ» Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры: – тип контакта (омический или Шотки); – сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются: – контактная разность потенциалов; – толщина; – тепловой ток; – барьерная емкость. Вариант 3
Артикул №1165561 Технические дисциплины > Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) > Физические основы электроники (ФОЭ) (Добавлено: 30.08.2024)	Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1 Исследование идеализированного P-N перехода Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: - контактная разность потенциалов; - толщина; - тепловой ток (ток насыщения); - напряжение и тип пробоя; - барьерная ёмкость.

Категории

Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ

Заказ решения задач по Теоретической механике

Популярные теги в выбранной категории:

Студенческая база

Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 200000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

ПОИСК ПО УСЛОВИЮ ЗАДАЧИ

Студенческая база