Артикул: 1165561

Раздел:Технические дисциплины (109059 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4221 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1147 шт.)

Название или условие:
Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода
Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

Описание:
Подробное решение в WORD - 8 страниц

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Ток коллектора биполярного транзистора Iк = 1,95 мА, а ток базы Iб = 0,05 мА. Чему равен коэффициент передачи тока эмиттера? В ответе запишите результаты вычислений с точностью до тысячных долей.	С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания) • Увеличивается • Уменьшается • Остается неизменным • Задержка выключения не существует
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы? В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.	На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является стоком? • Вывод 1 • Вывод 2 • Вывод 3	Ток через p-n-переход протекает, если • Потенциал p-области более положительный, чем n-области • Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области • Обе области p и n имеют одинаковый потенциал • Потенциалы к областям p и n не приложены
ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1	В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой
Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)	Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)