Артикул №1154089
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Барьер Шоттки определяет величину потока электронов из ... в ... .
Пояснение:
Выберите один ответ в каждом раскрывающемся списке.



Артикул №1154088
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Эффект Эрли – это изменение ... при изменении напряжения на ... переходе.
Пояснение:
Выберите один ответ в каждом раскрывающемся списке.



Артикул №1154087
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Полупроводниковыми свойствами обладает…
Пояснение:
Выберите один ответ.
- Аs
- Ga
- Р
- Si



Артикул №1154086
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Экстракция в ЭДП переходе происходит из-за сил ... поля.
Пояснение:
Выберите один ответ в раскрывающемся списке.



Артикул №1154085
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих электронно-дырочных перехода, три или более выводов, носит название…
Выберите один ответ.
- тиристор
- полевой транзистор
- биполярный транзистор
- стабилитрон



Артикул №1154084
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
На данном рисунке приведено условно-графическое обозначение полевого транзистора…
Выберите один ответ.
- с управляющим переходом с каналом n-типа
- с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа
- с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа
- с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа
- с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа
- с управляющим переходом с каналом p-типа

На данном рисунке приведено условно-графическое обозначение полевого транзистора… <br /><b>Выберите один ответ.</b> <br />- с управляющим переходом с каналом n-типа <br />- с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа <br />- с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа <br />- с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа <br />- с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа <br />- с управляющим переходом с каналом p-типа


Артикул №1154083
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты, носит название…
Выберите один ответ.
- выпрямительный диод
- смесительный диод
- импульсный диод
- СВЧ-диод



Артикул №1154082
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Емкость диода Шоттки с увеличением обратного напряжения...
Пояснение:
Выберите один ответ.
- уменьшается
- не изменяется
- увеличивается



Артикул №1154081
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Биполярный транзистор имеет выводы:
Выберите все верные ответы (может быть несколько или один).
- база
- коллектор
- исток
- затвор
- сток
- эмиттер



Артикул №1154080
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Теоретически и экспериментально показано, что зоны разрешенных энергий разделены…
Выберите один ответ.
- запрещенной зоной
- зоной проводимости
- валентной зоной



Артикул №1154079
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Величина барьерной емкости в ЭДП переходе с ростом обратного напряжения…
Пояснение:
Выберите один ответ.
- увеличивается
- не изменяется
- уменьшается



Артикул №1154078
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Дифференциальный параметр, характеризующий управляющее действие затвора, называется…
Выберите один ответ.
- выходной проводимостью
- внутренним сопротивлением транзистора
- коэффициентом усиления
- крутизной



Артикул №1154077
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Уровень Ферми в собственном полупроводнике смещается к…
Выберите один ответ.
- дну зоны проводимости
- середине ширины запрещенной зоны
- потолку валентной зоны



Артикул №1154076
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
На данном рисунке приведено условно-графическое обозначение полевого транзистора…
Выберите один ответ:
- с управляющим переходом с каналом n-типа
- с управляющим переходом с каналом p-типа
- с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа
- с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа
- с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа
- с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа

На данном рисунке приведено условно-графическое обозначение полевого транзистора… <br /><b>Выберите один ответ:</b> <br />- с управляющим переходом с каналом n-типа <br />- с управляющим переходом с каналом p-типа <br />- с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа <br />- с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа <br />- с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа <br />- с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа


Артикул №1154074
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Омический контакт представляет собой структуру…
Выберите один ответ.
- металл-полупроводник
- полупроводник-полупроводник
- металл-металл
- металл-диэлектрик



Артикул №1154073
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Носители в невырожденных полупроводниках подчиняются статистике...
Выберите один ответ.
- Больцмана
- Бозе-Эйнштейна
- Ферми-Дирака
- Максвелла-Больцмана



Артикул №1154071
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.09.2021)
Для приборов из кремня предельная плотность тока равна ... А/см2
Пояснение:
Выберите один ответ в раскрывающемся списке.



Артикул №1154029
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Микропроцессорная техника

(Добавлено: 20.09.2021)
Особенности МПС - Микропроцессорной системы (Курсовая работа)


Артикул №1154025
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 20.09.2021)
Мощность на коллекторе транзистора Pк = 6 Вт, напряжение на коллекторе Uкэ = 30 В напряжение питания Eк = 40 В. Используются выходные характеристики, определить ток базы Iб,ток коллектора Iк, коэффициент передачи базового тока h21 и сопротивление нагрузки Rк.
Мощность на коллекторе транзистора Pк = 6 Вт, напряжение на коллекторе Uкэ = 30 В напряжение питания Eк = 40 В. Используются выходные характеристики, определить ток базы Iб,ток коллектора Iк, коэффициент передачи базового тока  h<sub>21</sub> и сопротивление нагрузки Rк.


Артикул №1154024
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 20.09.2021)
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, найти ток базы Iб, ток коллектора Iк и напряжение на коллекторе Uкэ, если напряжение Uбэ = 0,3 В; напряжение питания Eк = 20 В; сопротивление нагрузки в цепи коллектора Rк = 0,8 кОм. Входная и выходная характеристики транзистора приведены на рисунке.
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, найти ток базы Iб, ток коллектора Iк и напряжение на коллекторе Uкэ, если напряжение Uбэ = 0,3 В; напряжение питания Eк = 20 В; сопротивление нагрузки в цепи коллектора Rк = 0,8 кОм. Входная и выходная характеристики транзистора приведены на рисунке.


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263