Артикул: 1167662

Раздел:Технические дисциплины (111159 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4392 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1166 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.

Описание:
3. Задания и порядок выполнения лабораторной работы
3.1. Исследовать семейства стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
3.2. Рассчитать дифференциальные параметры ПТ с управляющим р-n-переходом:
3.3. Проанализировать результаты экспериментов и сделать выводы.

6. Контрольные вопросы
1. Объясните название транзисторов "полевые" с точки зрения входного воздействия, управления их состоянием.
2. Объясните, почему полевые транзисторы еще называют униполярными, канальными?
3. Что называют каналом в полевом транзисторе?
4. На какие типы подразделяют полевые транзисторы по технологии производства? Дайте краткую характеристику каждому из них.
5. Назовите электроды полевого транзистора и коротко охарактеризуйте их назначение.
6. Объясните, что такое режим обеднения, обогащения канала. В каком из этих режимов могут работать полевые транзисторы с управляющим р-n–переходом, МОП-транзисторы со встроенным и индуцированным каналом?
7. Приведите схемное обозначение полевого транзистора с управляющим
р-n–переходом, каналом p-типа, каналом n-типа и МОП–транзистора со встроенным и индуцированным каналом.
8. Изобразите структуру полевого транзистора с управляющим р-n–переходом и объясните, что происходит в ней при изменении напряжения на затворе.
9. Изобразите стоковые и стоко-затворные ВАХ ПТ с управляющим
р-n–переходом. Покажите на них значения UЗИ отс , IC нач и объясните физический смысл этих параметров транзистора.
10. Вследствие каких физических процессов формируется пологий участок выходных ВАХ ПТ?
11. В какой области стоковых характеристик ПТ с управляющим
р-n–переходом наблюдается максимальное значение сопротивления канала?
12. Каким образом по ВАХ рассчитывают основные дифференциальные параметры ПТ. Дать определения каждому параметру и что они характеризуют.

Подробное решение в WORD+файл MathCad+файл EWB





Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1 Исследование идеализированного P-N перехода Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: - контактная разность потенциалов; - толщина; - тепловой ток (ток насыщения); - напряжение и тип пробоя; - барьерная ёмкость.	Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98 Определить Iэ
Вариант №36 На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы: ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В. Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.	Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм. 1. Определить концентрации носителей. 2. Определить допустимое обратное напряжение. 3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп. 4. Построить вольт-амперную характеристику. 5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 17 Дано Транзистор ГТ321Г Uкэ=7,5 В; Iб=1 мА;	Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.
Лабораторная работа № 1 Исследование выпрямительного полупроводникового диода 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характеристикам.	Лабораторная работа № 3, 4 Исследование характеристик биполярного транзистора 1. Цель работы Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Кремниевый p-n-p транзистор с толщиной базы W = 25 мкм содержит NDб = 5•1015 см-3 доноров в базе. Определить коэффициент передачи тока базы, если известно, что время жизни носителей τn = τp = 6,0 мкс, а удельное сопротивление эмиттерной области ρp = 0,01 Ом•см. Определить коэффициент обратной связи по напряжению для Uк = 6 В.	Лабораторная работа № 2 Исследование полупроводникового стабилитрона 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.