Артикул: 1168072

Раздел:Технические дисциплины (111569 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4434 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1167 шт.)

Название или условие:
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 8.
Биполярные транзисторы. Простейший усилитель на биполярном транзисторе
Цель работы:
измерение статических входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и определение по ним h-параметров транзистора. Изучение принципа работы и исследование характеристик усилительного каскада напряжения на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.
Вариант 4 (Тип триода - 2N3251)

Описание:
Часть 1. Исследование ВАХ биполярного транзистора
Задание
1. В соответствии с заданным вариантом (табл. 8.1) выписать из справочника основные параметры заданного транзистора (UKmax; IKmax; fmax; PK) по ссылке 84.
2. Создать копию примера в MultiSim (рис. 8.3), заменив тип биполярного транзистора согласно заданному варианту (табл. 8.1).
Для измерения входной ВАХ транзистора в схему (рис. 8.3,a) входят:
а) источник питания E1 в цепи база  эмиттер;
б) источник питания E2 в цепи коллектор  эмиттер;
г) два мультиметра XMM1, XMM2 и два вольтметра Ube, Uce для измерения токов и напряжений на электродах исследуемого транзистора.
Полярность источников питания Eb, Ec в схеме (рис. 8.3,a) определяется типом транзистора (рис. 8.2).
Для измерения выходной ВАХ транзистора (рис. 8.3,b) используется характериограф XIV1  прибор, предназначенный для построения семейства выходных характеристик биполярного транзистора. Для этого необходимо подключить соответствующие выводы транзистора к входам характериографа. С принципом работы характериографа можно ознакомиться по ссылке 85.
3. Построить входную ВАХ транзистора (рис. 8.3,a). Для этого измерить ток базы Ib в зависимости от напряжения база  эмиттер Ube (ЭДС Eb), установив поочередно значения напряжения коллектор  эмиттер Uce (ЭДС Ec) равным 0; 50% и 100% от Uce max В. Интервал изменения напряжения Ube (ЭДС Eb) определить экспериментально. Начать поиск следует в интервале: 0,01–1 В. Результаты измерений записать в табл. 8.2 (см. ссылку 86).
4. Построить выходную ВАХ с использованием характериографа (рис. 8.3,b). Для этого с помощью визира измерить ток коллектора Iс в зависимости от напряжения Uce (ЭДС Ec) при различных значениях тока база Ib (выбор параметрической зависимости – левой мышкой). Результаты измерений записать в табл. 8.3 (см. ссылку 87). Указанные в табл. 8.3 значения тока базы Ib и их количество (количество строк в таблице) при необходимости можно изменить.
5. По данным измерений табл. 8.2 и 8.3 построить графики семейств входных Ib(Ube) и выходных Iс(Uсe) ВАХ (см. ссылки 81, 86, 87).
6. Построить передаточную характеристику Iс(Ib) для определения значения параметра h21 (см. ссылки 83 и 87).
7. Используя графики семейств входных и выходных ВАХ, определить h-параметры биполярного транзистора (см. ссылки 82 и 87).

Часть 2. Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе по схеме с ОЭ
Создать копию примера в MultiSim (рис. 8.4), заменив тип транзистора и номинальные параметры схемы согласно заданному варианту (табл. 8.1):
2.1. Исследование передаточной (амплитудной) характеристики усилительного каскада
Основные характеристики усилительного каскада описаны в ссылке 89:
Задание
Построить передаточную (амплитудную) характеристику (АХ) усилительного каскада Um вых (Um вх) на частоте f = 1 кГц для трех режимов:
а) с включенным конденсатором Ce в цепи эмиттера (ключ А замкнут) и подключенной нагрузкой Rn (ключ В замкнут);
б) с включенным конденсатором Ce в цепи эмиттера (ключ А замкнут) и отключенной нагрузкой (ключ В разомкнут);
в) с отключенным конденсатором Ce (ключ А разомкнут) и подключенной нагрузкой Rn (ключ В замкнут).
Для построения АХ установить частоту 1 кГц генератора входного сигнала Еb (рис. 8.4). Начальное значение ЭДС генератора Еb следует задать 0,01 В. Измерение амплитуды входного Um вх и выходного Um вых напряжений выполнить вольтметрами Ube и Uce. Измерения провести для трех рассмотренных выше режимов и записать в первую колонку табл. 8.4.
Повторить измерения еще для четырех значений амплитуды входного напряжения. Обратить внимание на появление искажений на синусоиде выходного напряжения Um вых при увеличении амплитуды входного напряжения Um вх. В третью колонку табл. 8.4 занести результаты измерений, при которых на синусоиде выходного напряжения Um вых начинают появляться искажения. В пятую колонку занести результаты измерений, полученные при максимальном значении входного напряжения, увеличив его еще в два раза. Во вторую и четвертую колонки занести данные измерений при промежуточных уровнях входного сигнала.
Рассчитать значение коэффициента усиления по формуле
Результаты расчетов занести в табл. 8.4.
Построить графики зависимостей Um вых (Um вх) и Ku (Um вх).
2.2. Исследование амплитудно-частотной характеристики усилительного каскада

Подробное решение в WORD+файл MathCad+2 файла MultiSim



Поисковые тэги: Multisim

Изображение предварительного просмотра:

<b>ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 8.<br /> Биполярные транзисторы. Простейший усилитель на биполярном транзисторе <br />Цель работы:</b> измерение статических входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и определение по ним h-параметров транзистора. Изучение принципа работы и исследование характеристик усилительного каскада напряжения на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером. <br /><b>Вариант 4 (Тип триода - 2N3251)</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Практическое занятие №3
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Вариант 5

Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 10 (диод 1N4005)

Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)

Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 12 (диод 1N4154)

В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения.
Uвх = -7 В
Uвых = -12 В.

Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 9 (диод 1N4004)

Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 11 (диод BAS29)

Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить:
1. Сопротивление базы диода.
2. Толщину базы диода.
3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении.
4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы.
5. Построить Вольт-амперную характеристику.