Артикул: 1167659

Раздел:Технические дисциплины (111156 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4389 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1163 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.

Описание:
3. Задания и порядок выполнения лабораторной работы
3.1. Исследовать обратную ветвь ВАХ полупроводникового стабилитрона.
3.3. Определить параметры стабилитрона
3.4. Проанализировать результаты экспериментов и сделать выводы.

6. Контрольные вопросы
1. Дайте назначение и приведите область применения стабилитронов
2. Изобразите схемное обозначение стабилитрона. Чем оно отличается от схемного изображения диода?
3. Изобразите ВАХ стабилитрона. Укажите рабочий участок на обратной ветви ВАХ стабилитрона. Какие физические процессы происходят в стабилитроне на этом участке ВАХ?
4. На ВАХ стабилитрона показать электрические параметры и пояснить их физический смысл.
5. Почему пробой стабилитрона называют локальным и самовосстанавливающимся?
6. Как определяют температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН)?
7. Зависит ли знак ТКН от вида пробоя в стабилитроне?
8. Каков диапазон стабилизированного напряжения в промышленных образцах стабилитронов? Каким образом обеспечивается требуемое напряжение стабилизации?
9. Приведите схему параметрического стабилизатора напряжения и объясните ее работу.

Подробное решение в WORD+файл MathCad+файл EWB


Поисковые тэги: Стабилитроны, Electronics WorkBench

Изображение предварительного просмотра:

<b>Лабораторная работа № 2 <br /> Исследование полупроводникового стабилитрона </b><br />1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

В полупроводнике p-типа основными носителями являются
• Электроны
• Отрицательные ионы
• Положительные ионы
• Дырки
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)

МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки
• Не требуется
• Требуется всегда, как и для биполярного транзистора
• Требуется только при работе в особых условиях
• Не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом

В несимметричном p-n-переходе область с меньшей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
Сколько режимов работы есть у биполярного транзистора? Укажите возможные состояния p-n-перехода транзистора
• Один
• Два
• Три
• Четыре
Задание 9
При изменении тока от 4-х до 20 мА напряжение на стабилитроне изменилось на 0,12 В. Чему равно дифференциальное сопротивление этого стабилитрона?
Задание 4
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 1 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор?

• Транзистор заперт
• Транзистор находится в режиме насыщения
• Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления
• Этот режим недопустим для транзистора.

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)

ЗАДАНИЕ №1
Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить
1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С;
2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода;
3. Исходные данные в табл.1.
Вариант 5, рисунок 1