Артикул: 1165331

Раздел:Технические дисциплины (108833 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4202 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1145 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

Описание:
4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
4.1. Соберите схему для исследования биполярного транзистора (рис. 16).
4.2. Определите ток базы IБ, при котором ток коллектора IК (амперметр М2) будет равен 10 мА (mA – миллиампер, 1 мА = 10 –3 А). Ток базы подберите с точностью до 1 мкА. Найденное значение тока базы обозначим IБmax.
4.3. Снимите входные статические характеристики IБ = f(UБЭ) при UКЭ1 = 0 В и UКЭ2 = 5 В, задавая ток базы IБ (источник тока I1) и фиксируя напряжение база-эмиттер UБЭ (вольтметр М1). Ток базы изменяйте от 1 мкА до IБmax. Рекомендуемые значения тока базы: 1, 2, 5, 10, 20, 50, … мкА.
4.4. Снимите семейство выходных статических характеристик IК = f(UКЭ) при четырех значениях тока базы IБ = const, определяя ток коллектора IК при напряжениях коллектор-эмиттер 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10; 15 В. Вначале снимите выходную характеристику при токе базы IБ1 = IБmax/4, округленном до ближайшего значения, кратного 5 мкА. Затем снимите остальные характеристики при IБ2 = 2 IБ1, IБ3 = 3 IБ1 и IБ4 = 4 IБ1. Значения напряжения коллектор-эмиттер UКЭ задавайте, изменяя напряжение источника V1.
4.5. Измерьте коэффициент передачи тока базы β = ΔIК/ΔIБ при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, для чего:
4.6. Измерьте входное сопротивление транзистора rБЭ = ΔUБЭ/ΔIБ при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, придерживаясь следующего порядка действий:
4.7. Измерьте выходное сопротивление транзистора rКЭ =ΔUКЭ /ΔIК
при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, руководствуясь следующими указаниями:

Подробное решение в WORD+файл MathCad+файл EWB



Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Изображение предварительного просмотра:

<b>Лабораторная работа: <br /> ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ  БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА  </b><br />1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ  <br />Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров. <br /><b>Вариант 8 (транзистор BSS71)</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 11 (Полевой транзистор 2N4381, Биполярный транзистор 2N2222A)

Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить:
1. Сопротивление базы диода.
2. Толщину базы диода.
3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении.
4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы.
5. Построить Вольт-амперную характеристику.
Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 13 (диод 1N4003)

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 7 (Полевой транзистор 2N2608, Биполярный транзистор 2N2905)

Вопрос 6. Какой коэффициент усиления α транзистора при включении с общей базой необходимо выбрать, чтобы коэффициент усиления β при включении с общим эмиттером был равен (Вариант 6) 90.
Привести схемы
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)

Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 3 (диод 1N4150)

Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характеристикам.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 8.
Биполярные транзисторы. Простейший усилитель на биполярном транзисторе
Цель работы:
измерение статических входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и определение по ним h-параметров транзистора. Изучение принципа работы и исследование характеристик усилительного каскада напряжения на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.
Вариант 4 (Тип триода - 2N3251)

Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98
Определить Iэ