Артикул: 1165331

Раздел:Технические дисциплины (108833 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4202 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1145 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

Описание:
4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
4.1. Соберите схему для исследования биполярного транзистора (рис. 16).
4.2. Определите ток базы IБ, при котором ток коллектора IК (амперметр М2) будет равен 10 мА (mA – миллиампер, 1 мА = 10 –3 А). Ток базы подберите с точностью до 1 мкА. Найденное значение тока базы обозначим IБmax.
4.3. Снимите входные статические характеристики IБ = f(UБЭ) при UКЭ1 = 0 В и UКЭ2 = 5 В, задавая ток базы IБ (источник тока I1) и фиксируя напряжение база-эмиттер UБЭ (вольтметр М1). Ток базы изменяйте от 1 мкА до IБmax. Рекомендуемые значения тока базы: 1, 2, 5, 10, 20, 50, … мкА.
4.4. Снимите семейство выходных статических характеристик IК = f(UКЭ) при четырех значениях тока базы IБ = const, определяя ток коллектора IК при напряжениях коллектор-эмиттер 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10; 15 В. Вначале снимите выходную характеристику при токе базы IБ1 = IБmax/4, округленном до ближайшего значения, кратного 5 мкА. Затем снимите остальные характеристики при IБ2 = 2 IБ1, IБ3 = 3 IБ1 и IБ4 = 4 IБ1. Значения напряжения коллектор-эмиттер UКЭ задавайте, изменяя напряжение источника V1.
4.5. Измерьте коэффициент передачи тока базы β = ΔIК/ΔIБ при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, для чего:
4.6. Измерьте входное сопротивление транзистора rБЭ = ΔUБЭ/ΔIБ при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, придерживаясь следующего порядка действий:
4.7. Измерьте выходное сопротивление транзистора rКЭ =ΔUКЭ /ΔIК
при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, руководствуясь следующими указаниями:

Подробное решение в WORD+файл MathCad+файл EWB



Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача №2. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы): а) исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом; б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ; в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) построить линию нагрузки; д) рассчитать ток базы включения IБвкл; е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл; ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено ''; з) построить временные диаграммы токов и напряжений	Вариант №36 На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы: ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В. Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой. 1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах. 2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.	Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм. 1. Определить концентрации носителей. 2. Определить допустимое обратное напряжение. 3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп. 4. Построить вольт-амперную характеристику. 5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.
Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В. При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы. N=5	1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 17 Дано Транзистор ГТ321Г Uкэ=7,5 В; Iб=1 мА;
ЗАДАЧА № 2 1. Найти параметр схемы 2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике Вариант 4	Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1 Исследование идеализированного P-N перехода Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: - контактная разность потенциалов; - толщина; - тепловой ток (ток насыщения); - напряжение и тип пробоя; - барьерная ёмкость.