Артикул: 1165331

Раздел:Технические дисциплины (108833 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4202 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1145 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

Описание:
4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
4.1. Соберите схему для исследования биполярного транзистора (рис. 16).
4.2. Определите ток базы IБ, при котором ток коллектора IК (амперметр М2) будет равен 10 мА (mA – миллиампер, 1 мА = 10 –3 А). Ток базы подберите с точностью до 1 мкА. Найденное значение тока базы обозначим IБmax.
4.3. Снимите входные статические характеристики IБ = f(UБЭ) при UКЭ1 = 0 В и UКЭ2 = 5 В, задавая ток базы IБ (источник тока I1) и фиксируя напряжение база-эмиттер UБЭ (вольтметр М1). Ток базы изменяйте от 1 мкА до IБmax. Рекомендуемые значения тока базы: 1, 2, 5, 10, 20, 50, … мкА.
4.4. Снимите семейство выходных статических характеристик IК = f(UКЭ) при четырех значениях тока базы IБ = const, определяя ток коллектора IК при напряжениях коллектор-эмиттер 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10; 15 В. Вначале снимите выходную характеристику при токе базы IБ1 = IБmax/4, округленном до ближайшего значения, кратного 5 мкА. Затем снимите остальные характеристики при IБ2 = 2 IБ1, IБ3 = 3 IБ1 и IБ4 = 4 IБ1. Значения напряжения коллектор-эмиттер UКЭ задавайте, изменяя напряжение источника V1.
4.5. Измерьте коэффициент передачи тока базы β = ΔIК/ΔIБ при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, для чего:
4.6. Измерьте входное сопротивление транзистора rБЭ = ΔUБЭ/ΔIБ при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, придерживаясь следующего порядка действий:
4.7. Измерьте выходное сопротивление транзистора rКЭ =ΔUКЭ /ΔIК
при UКЭ = 5 В и IК = 1 мА, руководствуясь следующими указаниями:

Подробное решение в WORD+файл MathCad+файл EWB



Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 17 Дано Транзистор ГТ321Г Uкэ=7,5 В; Iб=1 мА;	Построить, с комментариями, передаточную характеристику и сфазированные диаграммы напряжений u1(t) и u2(t), если u1(t) = Um•sin(ωt), причем Um = 6В, R1=R2. Определить среднее значение выходного напряжения
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ): а) записать исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора – биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,6 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =90 мА; амплитудное значение переменной составляющей тока (амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 60 мА. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с учетом обеспечения режима постоянного тока с помощью одного резистора RБ от источника ЕК (схема смещения фиксированным током базы); в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) записать уравнение Кирхгофа для выходной цепи и построить линию нагрузки; д) найти на линии нагрузки рабочий участок, т.е. точки, которые соответствуют токам базы IБmin = IБ0 - ImБ и IБmax = IБ0 + ImБ, определить и обозначить рабочую точку усилителя – точку пересечения линии нагрузки и характеристики, которая соответствует IБ0; е) определить графически IКmin, IКmax, UКЭmin, UКЭmax – по выходным характеристикам и UБЭmin, UБЭmax – по входным; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;	Лабораторная работа №2 «ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ» Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры: – тип контакта (омический или Шотки); – сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются: – контактная разность потенциалов; – толщина; – тепловой ток; – барьерная емкость. Вариант 3
ЗАДАЧА № 2 1. Найти параметр схемы 2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике Вариант 4	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,6 В, ΔUси = 0,95 В, ΔIз = 0,1 мкА. Ответ в кОм.
Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.	Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.