Артикул: 1165105

Раздел:Технические дисциплины (108607 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4190 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1138 шт.)

Название или условие:
Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Задача 14.</b> По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)
Лабораторная работа №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ»
Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры:
– тип контакта (омический или Шотки);
– сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются:
– контактная разность потенциалов;
– толщина;
– тепловой ток;
– барьерная емкость.
Вариант 3

Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить:
1. Сопротивление базы диода.
2. Толщину базы диода.
3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении.
4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы.
5. Построить Вольт-амперную характеристику.
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
«Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»

Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи:
− изучить теоретический материал;
− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков;
− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор;
− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально;
− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители»
N=3; M=11

Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B.
Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B.
Вид характеристики – № III.
Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА.
Номера вопросов – 11,42.

ЗАДАЧА № 2
1. Найти параметр схемы
2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике
Вариант 4

Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

Вариант №36
На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы:
ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В.
Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1