Артикул: 1151743

Раздел:Технические дисциплины (96954 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2799 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (732 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (вариант по таблице 2)
а) Для заданной схемы (столбец 3) с заданной моделью диода (столбец 4) и номиналами элементов: VB = 0,5 В, R1 = 2 кОм, R2 = 5 кОм вручную постройте график переходной характеристики искомой величины (столбец 5) при заданном изменении входного сигнала vx(t).
Указание: приведите необходимые расчёты.
Задание 2 (SPICE-моделирование)
(см. ниже)
Вариант: БИТ194

Описание:
а) Соберите модель схемы в программе SPICE; задайте и подключите модель диода с параметрами по варианту (вариант параметров – в таблице 3; название модели – фамилия студента);
б) промоделируйте передаточную функцию (зависимость искомой величины от Vx) в диапазоне изменения Vx (−3; 3) В. С помощью курсоров определите для каждой линии граничное значение Vx и выходной величины.
Указание: шаг изменения Vx в команде на моделирование следует подобрать таким, чтобы график получился гладким, а не кусочно-линейным;
в) промоделируйте переходные функции зависимости искомой величины и величины vx от времени в установившемся режиме. Для показа на графиках только установившегося режима подберите параметр “time to start saving data” команды на моделирование. Установите диапазон по оси времени точно равным целому количеству периодов (4 ÷ 6).
г) С помощью курсоров по графику п. в) определите коэффициент передачи как отношение значений полного размаха входной и выходной величины (полный размах – расстояние между наибольшим и наименьшим значением в установившемся режиме).


Дано
Схема: В
Модель диода: с постоянным падением напряжения 0,7 В
Vx(t)=2•sin⁡(ωt)В;
f=2 кГц;
IS=9 нА;
N=1,15
RS=40 мОм;
TT=2 нс;
CJO=20 пФ;

Найти
Ir2(VX)-?


Изображение предварительного просмотра:

<b>Задание 1 (ручной расчёт) (вариант по таблице 2)</b> <br />а) Для заданной схемы  (столбец 3)  с заданной моделью диода  (столбец 4)  и номиналами элементов:  V<sub>B</sub> = 0,5 В, R<sub>1</sub> = 2 кОм, R<sub>2</sub> = 5 кОм  вручную постройте график переходной характеристики  искомой величины  (столбец  5) при заданном изменении входного сигнала vx(t).<br />  Указание: приведите необходимые расчёты. <br /><b>Задание 2  (SPICE-моделирование) </b> <br />(см. ниже)<br /><b>Вариант:  БИТ194</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.

Вариант №36
На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы:
ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В.
Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
Е1=0.8 В; Е2=15 В; RЭ=8 К; RК=16 К; β=95.
Определить: iЭ, iБ

Задача №2.
По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы):
а) исходные данные:
марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В;
активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом;
б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ;
в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ;
г) построить линию нагрузки;
д) рассчитать ток базы включения IБвкл;
е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл;
ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено '';
з) построить временные диаграммы токов и напряжений
Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характеристикам.

1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные.
2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора.
3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ).
4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ).
5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ.
6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора.
7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα.
8. Выводы.
Вариант 17
Дано
Транзистор ГТ321Г
Uкэ=7,5 В;
Iб=1 мА;