Артикул: 1151743

Раздел:Технические дисциплины (96954 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2799 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (732 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (вариант по таблице 2)
а) Для заданной схемы (столбец 3) с заданной моделью диода (столбец 4) и номиналами элементов: VB = 0,5 В, R1 = 2 кОм, R2 = 5 кОм вручную постройте график переходной характеристики искомой величины (столбец 5) при заданном изменении входного сигнала vx(t).
Указание: приведите необходимые расчёты.
Задание 2 (SPICE-моделирование)
(см. ниже)
Вариант: БИТ194

Описание:
а) Соберите модель схемы в программе SPICE; задайте и подключите модель диода с параметрами по варианту (вариант параметров – в таблице 3; название модели – фамилия студента);
б) промоделируйте передаточную функцию (зависимость искомой величины от Vx) в диапазоне изменения Vx (−3; 3) В. С помощью курсоров определите для каждой линии граничное значение Vx и выходной величины.
Указание: шаг изменения Vx в команде на моделирование следует подобрать таким, чтобы график получился гладким, а не кусочно-линейным;
в) промоделируйте переходные функции зависимости искомой величины и величины vx от времени в установившемся режиме. Для показа на графиках только установившегося режима подберите параметр “time to start saving data” команды на моделирование. Установите диапазон по оси времени точно равным целому количеству периодов (4 ÷ 6).
г) С помощью курсоров по графику п. в) определите коэффициент передачи как отношение значений полного размаха входной и выходной величины (полный размах – расстояние между наибольшим и наименьшим значением в установившемся режиме).


Дано
Схема: В
Модель диода: с постоянным падением напряжения 0,7 В
Vx(t)=2•sin⁡(ωt)В;
f=2 кГц;
IS=9 нА;
N=1,15
RS=40 мОм;
TT=2 нс;
CJO=20 пФ;

Найти
Ir2(VX)-?


Изображение предварительного просмотра:

<b>Задание 1 (ручной расчёт) (вариант по таблице 2)</b> <br />а) Для заданной схемы  (столбец 3)  с заданной моделью диода  (столбец 4)  и номиналами элементов:  V<sub>B</sub> = 0,5 В, R<sub>1</sub> = 2 кОм, R<sub>2</sub> = 5 кОм  вручную постройте график переходной характеристики  искомой величины  (столбец  5) при заданном изменении входного сигнала vx(t).<br />  Указание: приведите необходимые расчёты. <br /><b>Задание 2  (SPICE-моделирование) </b> <br />(см. ниже)<br /><b>Вариант:  БИТ194</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой?
• Параметр h11б
• Параметр h12б
• Параметр h21б
• Параметр h22б
Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2.
Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)

Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором усиливаются обе полуволны входного напряжения, а рабочая точка выбирается в середине линейного участка входной характеристики транзистора?
• Классу А
• Классу В
• Классу С
• Классу АВ
В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
Задание 4
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 1 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор?

• Транзистор заперт
• Транзистор находится в режиме насыщения
• Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления
• Этот режим недопустим для транзистора.

С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания)
• Увеличивается
• Уменьшается
• Остается неизменным
• Задержка выключения не существует
В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора
• Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты
Ток через p-n-переход протекает, если
• Потенциал p-области более положительный, чем n-области
• Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области
• Обе области p и n имеют одинаковый потенциал
• Потенциалы к областям p и n не приложены