Артикул: 1151743

Раздел:Технические дисциплины (96954 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2799 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (732 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (вариант по таблице 2)
а) Для заданной схемы (столбец 3) с заданной моделью диода (столбец 4) и номиналами элементов: VB = 0,5 В, R1 = 2 кОм, R2 = 5 кОм вручную постройте график переходной характеристики искомой величины (столбец 5) при заданном изменении входного сигнала vx(t).
Указание: приведите необходимые расчёты.
Задание 2 (SPICE-моделирование)
(см. ниже)
Вариант: БИТ194

Описание:
а) Соберите модель схемы в программе SPICE; задайте и подключите модель диода с параметрами по варианту (вариант параметров – в таблице 3; название модели – фамилия студента);
б) промоделируйте передаточную функцию (зависимость искомой величины от Vx) в диапазоне изменения Vx (−3; 3) В. С помощью курсоров определите для каждой линии граничное значение Vx и выходной величины.
Указание: шаг изменения Vx в команде на моделирование следует подобрать таким, чтобы график получился гладким, а не кусочно-линейным;
в) промоделируйте переходные функции зависимости искомой величины и величины vx от времени в установившемся режиме. Для показа на графиках только установившегося режима подберите параметр “time to start saving data” команды на моделирование. Установите диапазон по оси времени точно равным целому количеству периодов (4 ÷ 6).
г) С помощью курсоров по графику п. в) определите коэффициент передачи как отношение значений полного размаха входной и выходной величины (полный размах – расстояние между наибольшим и наименьшим значением в установившемся режиме).


Дано
Схема: В
Модель диода: с постоянным падением напряжения 0,7 В
Vx(t)=2•sin⁡(ωt)В;
f=2 кГц;
IS=9 нА;
N=1,15
RS=40 мОм;
TT=2 нс;
CJO=20 пФ;

Найти
Ir2(VX)-?


Изображение предварительного просмотра:

<b>Задание 1 (ручной расчёт) (вариант по таблице 2)</b> <br />а) Для заданной схемы  (столбец 3)  с заданной моделью диода  (столбец 4)  и номиналами элементов:  V<sub>B</sub> = 0,5 В, R<sub>1</sub> = 2 кОм, R<sub>2</sub> = 5 кОм  вручную постройте график переходной характеристики  искомой величины  (столбец  5) при заданном изменении входного сигнала vx(t).<br />  Указание: приведите необходимые расчёты. <br /><b>Задание 2  (SPICE-моделирование) </b> <br />(см. ниже)<br /><b>Вариант:  БИТ194</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Построить, с комментариями, передаточную характеристику и сфазированные диаграммы напряжений u1(t) и u2(t), если u1(t) = Um•sin(ωt), причем Um = 6В, R1=R2. Определить среднее значение выходного напряжения
Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Задача №2.
По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы):
а) исходные данные:
марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В;
активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом;
б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ;
в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ;
г) построить линию нагрузки;
д) рассчитать ток базы включения IБвкл;
е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл;
ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено '';
з) построить временные диаграммы токов и напряжений
Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой.
1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах.
2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
ЗАДАЧА № 2
1. Найти параметр схемы
2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике
Вариант 4

P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)
Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Расшифруйте индексы вх и вых напряжений:
Uвх = 1,1В
Uвых = 0,5В