Артикул: 1161573

Раздел:Технические дисциплины (105108 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3713 шт.)

Название или условие:
Задача 18
Начертите схему резисторного каскада усиления на транзисторе p-n-p с фиксированным напряжением смешения базы с термокомпенсацией и эмиттерной стабилизацией режима. Поясните назначение всех элементов схемы. Рассчитайте коэффициент усиления каскада по напряжению в относительных единицах и децибелах при Uвх.т = 30 В, Uвых.т = 2,7 В.

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

ВАРИАНТ 6
Задача 3. Для транзистора ГТ109А коэффициент передачи тока эмиттера h21Б= 0,91÷0,95. Определить в каких пределах может изменяться коэффициент усиления тока базы.
Задача 1.3
Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи.
Вариант 1
Дано
R1=5 кОм;
R2=10 кОм;
V1=-10 В;
V2=+10 В;

Курсовая работа по микроэлектронике "Исследование усилителя постоянного тока"
Вариант 4

Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания:
1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор.
2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы;
3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить:
- коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером.
Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.

Составить таблицу истинности нижеприведенного триггера:
Лабораторная №1. Исследование характеристик диода
Вариант №37 диод RL202.

Примечание: в применяемой версии MS отсутствует диод RL202, поэтому я проводил исследования на его полном аналоге 1N5392. Согласно данным из интернета, его полный функциональный аналог

Вариант 17
E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95.
Определить: iэ, iб

Лабораторная работа №1
«Исследование нелинейных электрических цепей постоянного тока»

Цель работы:
1) Выполнить моделирование и анализ, указанных в лабораторной работе схем с различными случаями соединения диодов;
2) Снять ВАХ следующих приборов: диод 1N5619, диод GI814.
3) Выполнить анализ ВАХ. Нахождение для диодов: рабочих зон, напряжения открытия, пороговых значений.
4) Сравнить измеренные и расчетные значения ВАХ со справочными данными, (представленными в 1 пункте практической части).
Вариант 8 (Диоды 1N5619 и GI814)

Задача 41. Определить период Т, длительность импульса tи и паузы tп, если частота следования импульсов f = 10 кГц, а скважность Q = 10.Реферат на тему «Биполярный транзистор (БТ). Основные характеристики. Эквивалентные модели транзистора (Т – модель, π – модель и другие модели)»