Артикул: 1163475

Раздел:Технические дисциплины (106977 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3977 шт.)

Название или условие:
Комплементарное соединение транзисторов (ОЭ-ОЭ и ОК-ОБ)
Ответ на теоретический вопрос - 2 страницы

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

2) Определить длительность положительного и отрицательного напряжений на выходе компаратора, составленного на ОУ. Uвх1=10•sin(ωt), f=50 Гц, tп=10мс, Uвх2мах=5 В.	Вариант 17 E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95. Определить: iэ, iб
Курсовая работа по микроэлектронике "Исследование усилителя постоянного тока" Вариант 4	Задача 38 Поясните назначение ограничителей. Начертите схемы параллельных ограничителей сверху и снизу на нулевом уровне. Поясните работу ограничителя, укажите необходимые условия для его работы. Начертите диаграмму синусоидального напряжения, поступающего на вход ограничителя, и временные диаграммы выходного напряжения. Для параллельного диодного ограничителя сверху определите напряжение на выходе при действии положительной и отрицательной полуволн Uвх, если амплитуда входного синусоидального напряжения Uт = 8 В, сопротивление диода в прямом направлении Rпр = 20 Ом, в обратном направлении Rобр = 400 кОм, сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм, сопротивление ограничительного резистора Rогр = 1 кОм. Внутреннее сопротивление источника примите равным нулю.
Лабораторная №1. Исследование характеристик диода Вариант №37 диод RL202. Примечание: в применяемой версии MS отсутствует диод RL202, поэтому я проводил исследования на его полном аналоге 1N5392. Согласно данным из интернета, его полный функциональный аналог	5. В три плеча мостовой схемы на рис. 5.1 включены линейные сопротивления Z2, Z3, Z4, а в одно плечо – идеальный диод с характеристикой, изображенной на рис. 5.2. К зажимам c и d схемы присоединен источник синусоидальной ЭДС e=100∙sinωt. Построить кривую напряжения между точками a и b во времени. Определить среднее за период значение этого напряжения. Значения Z приведены в таблице Вариант 5д
Лабораторная работа №1 «Исследование нелинейных электрических цепей постоянного тока» Цель работы: 1) Выполнить моделирование и анализ, указанных в лабораторной работе схем с различными случаями соединения диодов; 2) Снять ВАХ следующих приборов: диод 1N5619, диод GI814. 3) Выполнить анализ ВАХ. Нахождение для диодов: рабочих зон, напряжения открытия, пороговых значений. 4) Сравнить измеренные и расчетные значения ВАХ со справочными данными, (представленными в 1 пункте практической части). Вариант 8 (Диоды 1N5619 и GI814)	1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 24 Дано Транзистор КТ379Г Uкэ=8 В; Iб=0,016 мА;
Задача 41. Определить период Т, длительность импульса tи и паузы tп, если частота следования импульсов f = 10 кГц, а скважность Q = 10.	Самостоятельная работа по теме «Полупроводниковые приборы» № 1.10 Какие диоды используются для генерации электрических колебаний: № 1.11 У какого транзистора входное сопротивление максимальное: № 1.12 По вольт-амперной характеристике выпрямительного диода, изображённой на рис. 26, определите сопротивление диода по постоянному току при включении тока в прямом и обратном направлении, если к диоду приложено напряжение Uпр = 0,5 В и Uобр = – 50 В. № 1.13 Нарисуйте три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). № 1.14 Какие приборы называют оптронами (оптопарами)?