Артикул: 1163361

Раздел:Технические дисциплины (106863 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3968 шт.)

Название или условие:
По заданным входным и выходным характеристикам определить h-параметры транзистора
Исходные данные: Uкэ=20 В; Iб=150 мкА

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 24 Дано Транзистор КТ379Г Uкэ=8 В; Iб=0,016 мА;	Самостоятельная работа по теме «Полупроводниковые приборы» № 1.10 Какие диоды используются для генерации электрических колебаний: № 1.11 У какого транзистора входное сопротивление максимальное: № 1.12 По вольт-амперной характеристике выпрямительного диода, изображённой на рис. 26, определите сопротивление диода по постоянному току при включении тока в прямом и обратном направлении, если к диоду приложено напряжение Uпр = 0,5 В и Uобр = – 50 В. № 1.13 Нарисуйте три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). № 1.14 Какие приборы называют оптронами (оптопарами)?
Частота среза ωс фильтра, изображенного на рисунке, определяется по формуле: Выберите один ответ	Задание. Письменно ответить на вопросы, номера которых заданы для Вашего варианта в табл.3.1 Вариант 11 11. Изобразите схему и поясните передаточную характеристику триггера Шмитта. 30. Чему равен коэффициент усиления по напряжению приведенной на рис. 3.8 схеме ОУ? Что можно сказать о назначении этой схемы?
Самостоятельная работа по теме «Электронные генераторы» № 5.4 По данным элементам на рис. 34 составьте функциональную схему автогенератора гармонических колебаний. № 5.5 Самовозбуждение генератора происходит при условии: № 5.6 Назовите основные причины нестабильности частоты автогенератора. Каким способом можно значительно увеличить стабильность частоты автогенераторов?	Задача 18 Начертите схему резисторного каскада усиления на транзисторе p-n-p с фиксированным напряжением смешения базы с термокомпенсацией и эмиттерной стабилизацией режима. Поясните назначение всех элементов схемы. Рассчитайте коэффициент усиления каскада по напряжению в относительных единицах и децибелах при Uвх.т = 30 В, Uвых.т = 2,7 В.
Задача 1.3 Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи. Вариант 1 Дано R1=5 кОм; R2=10 кОм; V1=-10 В; V2=+10 В;	5. В три плеча мостовой схемы на рис. 5.1 включены линейные сопротивления Z2, Z3, Z4, а в одно плечо – идеальный диод с характеристикой, изображенной на рис. 5.2. К зажимам c и d схемы присоединен источник синусоидальной ЭДС e=100∙sinωt. Построить кривую напряжения между точками a и b во времени. Определить среднее за период значение этого напряжения. Значения Z приведены в таблице Вариант 5д
Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания: 1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор. 2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы; 3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить: - коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером. Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.	Задача 41. Определить период Т, длительность импульса tи и паузы tп, если частота следования импульсов f = 10 кГц, а скважность Q = 10.