Артикул: 1162848

Раздел:Технические дисциплины (106370 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3906 шт.)

Название или условие:
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа (МДП)

Описание:
Ответ на вопрос теста

Изображение предварительного просмотра:

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа (МДП)

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные.
2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора.
3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ).
4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ).
5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ.
6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора.
7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα.
8. Выводы.
Вариант 24
Дано
Транзистор КТ379Г
Uкэ=8 В;
Iб=0,016 мА;
Вариант 17
E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95.
Определить: iэ, iб

Задача 26. Усилитель имеет коэффициент усиления Кu = 100 и охвачен положительной обратной связью по напряжению с коэффициентом передачи β = 0,01. Определить коэффициент усиления Кос усилителя с обратной связью.Задача 1.3
Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи.
Вариант 1
Дано
R1=5 кОм;
R2=10 кОм;
V1=-10 В;
V2=+10 В;

Задача 41. Определить период Т, длительность импульса tи и паузы tп, если частота следования импульсов f = 10 кГц, а скважность Q = 10.Лабораторная работа №1
«Исследование нелинейных электрических цепей постоянного тока»

Цель работы:
1) Выполнить моделирование и анализ, указанных в лабораторной работе схем с различными случаями соединения диодов;
2) Снять ВАХ следующих приборов: диод 1N5619, диод GI814.
3) Выполнить анализ ВАХ. Нахождение для диодов: рабочих зон, напряжения открытия, пороговых значений.
4) Сравнить измеренные и расчетные значения ВАХ со справочными данными, (представленными в 1 пункте практической части).
Вариант 8 (Диоды 1N5619 и GI814)

Частота среза ωс фильтра, изображенного на рисунке, определяется по формуле:
Выберите один ответ

Исследовать усилитель переменного тока с параметрами, заданными в табл. 1. (Курсовая работа по микроэлектронике)
Вариант 13

Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания:
1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор.
2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы;
3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить:
- коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером.
Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.

Задача 28
Поясните назначение и принцип действия фазочувствительного усилителя. Начертите схему фазочувствительного усилителя, используемого в реле 33П-1. Поясните состав и работу усилителя.