Артикул: 1162848

Раздел:Технические дисциплины (106370 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3906 шт.)

Название или условие:
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа (МДП)

Описание:
Ответ на вопрос теста

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Вопрос 13 Рассчитать входное сопротивление для дифференциального сигнала усилителя если Rэ = 129 Ом. Коэффициент усиления тока базы β = 880. Сопротивлением эмиттерных переходов пренебречь. Ответь записать в кОм.	ВАРИАНТ 6 Задача 3. Для транзистора ГТ109А коэффициент передачи тока эмиттера h21Б= 0,91÷0,95. Определить в каких пределах может изменяться коэффициент усиления тока базы.
Начертить зависимость выходного напряжения Vout от входного Vin, если входной сигнал треугольной формы амплитуды +10В и -10В (рисунок 2	Задача 1.3 Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи. Вариант 1 Дано R1=5 кОм; R2=10 кОм; V1=-10 В; V2=+10 В;
Вариант 16 Евх = 1 В; Еп = 8 В; Iко = 10 мкА; Rб = 1К2; Rк = 500; β = 98. Определить: iэ.	1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 24 Дано Транзистор КТ379Г Uкэ=8 В; Iб=0,016 мА;
Задача 18 Начертите схему резисторного каскада усиления на транзисторе p-n-p с фиксированным напряжением смешения базы с термокомпенсацией и эмиттерной стабилизацией режима. Поясните назначение всех элементов схемы. Рассчитайте коэффициент усиления каскада по напряжению в относительных единицах и децибелах при Uвх.т = 30 В, Uвых.т = 2,7 В.	Частота среза ωс фильтра, изображенного на рисунке, определяется по формуле: Выберите один ответ
По заданным входным и выходным характеристикам определить h-параметры транзистора Исходные данные: Uкэ=20 В; Iб=150 мкА	Задача 41. Определить период Т, длительность импульса tи и паузы tп, если частота следования импульсов f = 10 кГц, а скважность Q = 10.