Артикул: 1160639

Раздел:Технические дисциплины (104349 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3590 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1005 шт.)

Название или условие:
Задача 2. Образец германия, с удельным сопротивлением собственного германия при T = 300 К ρ = 0,43 Ом•м и подвижностью электронов и дырок в германии равной соответственно 0,39 и 0,19 м2/(В•с), легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2•106 атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при T = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4•1028 м-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора

1. Цель работы Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.

В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения.
Uвх = -7 В
Uвых = -12 В.

Вариант №36
На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы:
ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В.
Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Вопрос 6. Какой коэффициент усиления α транзистора при включении с общей базой необходимо выбрать, чтобы коэффициент усиления β при включении с общим эмиттером был равен (Вариант 6) 90.
Привести схемы
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим р-n-переходом

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.

Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.

Задача 2 Вариант 17
E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95.
Определить: iэ, iб

Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характеристикам.

Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1