Артикул: 1160639

Раздел:Технические дисциплины (104349 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3590 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1005 шт.)

Название или условие:
Задача 2. Образец германия, с удельным сопротивлением собственного германия при T = 300 К ρ = 0,43 Ом•м и подвижностью электронов и дырок в германии равной соответственно 0,39 и 0,19 м²/(В•с), легирован примесью атомов сурьмы так, что один атом примеси приходится на 2•10⁶ атомов германия. Определить: а) концентрацию электронов и дырок при T = 300 К (предположить, что при этой температуре все атомы сурьмы ионизированы, а концентрация атомов германия N = 4,4•10²⁸ м^-3); б) удельное сопротивление этого германия, а также коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при данной температуре

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)	Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются • МОП-транзисторы с индуцируемым каналом • МОП-транзисторы с встроенным каналом • МОП-транзисторы любого типа • Любые полевые транзисторы, включая унитроны
Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором усиливаются обе полуволны входного напряжения, а рабочая точка выбирается в середине линейного участка входной характеристики транзистора? • Классу А • Классу В • Классу С • Классу АВ	В несимметричном p-n-переходе область с меньшей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой
В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой	ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1
В полупроводнике p-типа основными носителями являются • Электроны • Отрицательные ионы • Положительные ионы • Дырки	Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 2,0 мА, коэффициент усиления тока базы 39. Чему равен ток коллектора? В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до сотых долей.
Ток через p-n-переход протекает, если • Потенциал p-области более положительный, чем n-области • Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области • Обе области p и n имеют одинаковый потенциал • Потенциалы к областям p и n не приложены	В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора • Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт • Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт • Оба p-n-перехода открыты • Оба p-n-перехода закрыты