Артикул: 1157334

Раздел:Технические дисциплины (101342 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3285 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (924 шт.)

Название или условие:
Практическая работа № 3
Даны семейства входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме о ОЭ (Рис.5 или Рис.6).

Описание:
1. В семействе выходных характеристик постройте рабочую характеристику по заданному напряжению источника питания коллекторной цепи Eк и сопротивлению нагрузки RН.
2. На выходной рабочей характеристике отметьте рабочую точку по заданной величине входного тока Iб0. Определите режим покоя: ток покоя Iк0, напряжение покоя Uк0, мощность, рассеиваемую на коллекторе Pк0. Расчетное значение мощности Pк0 сравните с допустимым на коллекторе Pк_max.
3. В семействе выходных характеристик постройте график изменения входного сигнала, заданного амплитудой Iб max, и графики изменения тока и напряжения в цепи коллектора. Определите амплитудное значение тока Iк max и напряжения Uк max в коллекторной цепи.
4. В семействе входных характеристик постройте график изменения входного тока. Пользуясь статической входной характеристикой при Uкэ≠0 , постройте график изменения входного напряжения. Определите амплитуду напряжения Uб max в цепи базы.
5. Определите коэффициенты усиления по току Кт, напряжению Кн и мощности Км, входного сопротивления Rвх и выходное сопротивление транзистора Rвых.
6. Начертите схему включения транзистора с ОЭ в усилительный каскад.

Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Практическая работа № 3</b> <br />Даны семейства входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме о ОЭ (Рис.5 или Рис.6).

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора
• Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты
Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2.
Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.

ЗАДАНИЕ №1
Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить
1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С;
2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода;
3. Исходные данные в табл.1.
Вариант 5, рисунок 1

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)

На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является стоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
Ток через p-n-переход протекает, если
• Потенциал p-области более положительный, чем n-области
• Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области
• Обе области p и n имеют одинаковый потенциал
• Потенциалы к областям p и n не приложены
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 2,0 мА, коэффициент усиления тока базы 39. Чему равен ток коллектора?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до сотых долей.