Артикул: 1150425

Раздел:Технические дисциплины (95679 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2655 шт.) >
  Транзисторные каскады (415 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа №2
Моделирование входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах
Целью лабораторной работы является разработка моделей входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей напряжения для схем с общими эмиттером, базой и коллектором.

Описание:
2 Содержание работы
Содержанием практической части работы является разработка моделей входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей напряжения для схем с общими эмиттером, базой и коллектором.
Выполнение лабораторной работы проводится на ПЭВМ и прикладных программ «EWB5.12» и «Micro-CaP8».
3 Краткие теоретические сведения
3.1 Цепи смещения в каскадах биполярных транзисторов по схемам ОЭ и ОБ
3.2 Исследование влияния цепей смещения на входные сопротивления в каскадах на биполярных транзисторах по схемам ОЭ и ОБ
3.3 Цепи смещения в каскадах биполярных транзисторов по схемам ОК
3.4 Исследование влияния цепей смещения на входные сопротивления в каскадах на биполярных транзисторах по схеме ОК
4 Разработка схем входных цепей однокаскадных усилителей на биполярном транзисторе
4.1 Разработка моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОЭ на биполярном n-p-n транзисторе
4.1.1 Разработка исходных моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОЭ на биполярном n-p-n транзисторе.
4.1.2 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным током
4.1.3 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным напряжением
4.2 Разработка моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОБ на биполярном n-p-n транзисторе
4.2.1 Разработка исходных моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОБ на биполярном n-p-n транзисторе
4.2.2 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным током базы по схеме ОБ
4.2.3 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным напряжением на базе по схеме с ОБ
4.3 Разработка моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОК на биполярном n-p-n транзисторе
4.3.1 Разработка исходных моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОК на биполярном n-p-n транзисторе
4.3.2 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным током
4.3.3 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах по схеме ОК на основе резистивных делителей с фиксированным напряжением
4.3.4 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОК на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей со следящей связью

Вывод

Подробное решение в WORD - всего 22 страницы (22 рисунка и схемы)


Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Изображение предварительного просмотра:

Лабораторная работа №2  <br /><b>Моделирование входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах</b><br />Целью лабораторной работы является  разработка моделей входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей напряжения для схем с общими эмиттером, базой и коллектором.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задание 11
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1 мА. Определите, насколько изменится напряжение Uкэ в рабочей точке транзистора VT после замыкания ключа SW, если Rб = 120 кОм, Rк1 = 3 кОм, Rк2 = 6 кОм, а напряжение питания Е = 5 В.

В ответе запишите изменение напряжения в вольтах.

5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОКАСКАДНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ
Целью работы являются овладение методикой расчёта и экспериментальные исследования основных параметров однокаскадных транзисторных усилителей, получение навыков настройки их режимов и снятия частотных характеристик усилителей.
Вариант 5 (Транзистор МП26)

Задача 2.3.2. Усилительный каскад с ОК (рисунок 2.8) построен на транзисторе типа КТ503А. Номиналы резисторов следующие: Rб1 = 27 кОм, Rб2 = 10 кОм, Rэ = 1,0 кОм, Rк = 2,2 кОм, R1 = R2 = 75 Ом. Требуется определить основные параметры каскада в области средних частот.
Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей (курсовая работа)
Вариант 21 (Шифр Сх 1.П5.ОИ.М3)

Графо-аналитическим способом рассчитать режим усиления биполярного транзистора при условии получения максимальной выходной мощности и минимальных искажений выходного сигнала. Рассчитать элементы схемы, обеспечивающей этот режим.
Вариант 81
1. Тип схемы включения транзистора – схема 2.
2. Входные и выходные характеристики транзистора – характеристика 3.
3. Напряжение питания схемы и сопротивление коллектора: Eк=18 В; Rк=100 Ом.
4. Ток делителя для второй схемы. Iдел=6∙Iб0.

Определить коэффициенты передачи тока для всех трех схем включения транзистора, если амплитуда переменной составляющей коллекторного тока Ik.m = 3,9 мА, а амплитуда тока эмиттера Iэ.m = 4 мА.
Вариант 20
ЕП=10 В; Rэ= 500; R1=1К2; R2=1К2; β=50.
Определить: iэ

Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Вариант 4, N=2, M=4
Дано: uвх(t)= (0,025•N)•sin(ωt)=0,025•2•sin⁡(ωt)=0,05•sin⁡(ωt) В;
Rк=0,195 кОм;
Eк=17,5 В;
Вид характеристики:1;
Iб0=600 мкА;
1. Нарисовать схему каскада.
2. Используя выходные вольтамперные характеристики транзистора, для заданного варианта построить две линии нагрузки (для заданного R2 и для R2 = 0, в последнем случае линия нагрузки параллельна оси тока Iк). В соответствии с точками пересечений нагрузочных линий и выходных характеристик построить две характеристики прямой передачи по току Iк = f(Iб) при R2 = 0 и при заданном R2. Определить область линейного усиления.
3. Выбрать рабочую точку покоя для классов А, В, D; по характеристикам определить токи Iкр, Iбр и напряжение Uкр в рабочей точке покоя P.
4. По заданным временным диаграммам переменной составляющей тока базы iб(t) (см. рис. 2) построить временные диаграммы тока коллектора iк(t) и напряжения uк(t). Для классов А и В определить максимальную амплитуду неискаженного синусоидального выходного сигнала, а для класса D максимальную амплитуду прямоугольных выходных импульсов.
5. Посчитать средние за период потери в классе А и классе D. Сравнить, сделать вывод.
Вариант 6
Дано
U2=9 В;
R2=1 кОм;
f=0,7 кГц

Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Вариант 4, N=11, M=4
Дано:
uвх (t)= (0,025•N)•sin(ωt)=0,025•11•sin⁡(ωt)=0,275•sin⁡(ωt) В;
Rк=0,195 кОм;
Eк=17,5 В;
Вид характеристики:1;
Iб0=600 мкА;
Номера вопросов:4,24;