Артикул №1168739
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 16.08.2025)
Определить коэффициенты передачи тока для всех трех схем включения транзистора, если амплитуда переменной составляющей коллекторного тока Ik.m = 3,9 мА, а амплитуда тока эмиттера Iэ.m = 4 мА.


Артикул №1168732
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 16.08.2025)
Рассчитайте ток базы для заданного режима покоя:
- V2 = 9 В;
- Uбэ = 2 В;
- Uкэ = 7 В;
- Uэ = 600 мВ.

Рассчитайте ток базы для заданного режима покоя: <br />- V2 = 9 В; <br />- Uбэ = 2 В; <br />- Uкэ = 7 В; <br />- Uэ = 600 мВ.


Артикул №1168142
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 26.07.2025)
РАСЧЁТНАЯ РАБОТА ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ №5
На тему «Расчёт усилителя на биполярном транзисторе»

Исходные данные Биполярный транзистор: MSD601-RT1
Координаты рабочей точки по варианту: UKA=8 B, IБА=40 мкА.
Напряжения на входе усилителя:
uвх1=10 sin⁡(ωt),мВ
uвх2=100 sin⁡(ωt),мВ

<b>РАСЧЁТНАЯ РАБОТА ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ №5<br /> На тему «Расчёт усилителя на биполярном транзисторе» </b><br />Исходные данные <b>Биполярный транзистор: MSD601-RT1</b><br />Координаты рабочей точки по варианту: U<sub>KA</sub>=8 B, I<sub>БА</sub>=40 мкА. <br />Напряжения на входе усилителя: <br />uвх1=10 sin⁡(ωt),мВ <br />uвх2=100 sin⁡(ωt),мВ
Поисковые тэги: Переходная характеристика

Артикул №1167857
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 20.07.2025)
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА
(ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ №5 в TINA)

На тему «Расчет усилителя на биполярном транзисторе»
Тип транзистора: MSD601-RT1

<b>РАСЧЕТНАЯ РАБОТА <br />(ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ №5 в TINA)</b> <br />На тему «Расчет усилителя на биполярном транзисторе»<br />Тип транзистора: <b>MSD601-RT1</b>


Артикул №1167816
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 19.07.2025)
5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОКАСКАДНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ
Целью работы являются овладение методикой расчёта и экспериментальные исследования основных параметров однокаскадных транзисторных усилителей, получение навыков настройки их режимов и снятия частотных характеристик усилителей.
Вариант 5 (Транзистор МП26)

<b>5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОКАСКАДНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ </b><br />Целью работы являются овладение методикой расчёта и экспериментальные исследования основных параметров однокаскадных транзисторных усилителей, получение навыков настройки их режимов и снятия частотных характеристик усилителей.<br /><b>Вариант 5 (Транзистор МП26)</b>


Артикул №1167663
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 16.07.2025)
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером

1. Цель работы Исследование основных показателей и характеристик усилителя, а также изучение методики и получение практических навыков по их измерению.

<b>Лабораторная работа № 7<br /> Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером </b> <br />1. Цель работы Исследование основных показателей и характеристик усилителя, а также изучение методики и получение практических навыков по их измерению.
Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Артикул №1167142
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 02.07.2025)
Задача 2.3.2. Усилительный каскад с ОК (рисунок 2.8) построен на транзисторе типа КТ503А. Номиналы резисторов следующие: Rб1 = 27 кОм, Rб2 = 10 кОм, Rэ = 1,0 кОм, Rк = 2,2 кОм, R1 = R2 = 75 Ом. Требуется определить основные параметры каскада в области средних частот.
<b>Задача 2.3.2.</b> Усилительный каскад с ОК (рисунок 2.8) построен на транзисторе типа КТ503А. Номиналы резисторов следующие: R<sub>б1</sub> = 27 кОм, R<sub>б2</sub> = 10 кОм, Rэ = 1,0 кОм, Rк = 2,2 кОм, R1 = R2 = 75 Ом. Требуется определить основные параметры каскада в области средних частот.


Артикул №1167141
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 02.07.2025)
Задача 2.3.1. Усилительный каскад с ОБ (рисунок 2.7) построен на транзисторе типа КТ503А. Номиналы резисторов следующие: Rб1 = 27 кОм, Rб2 = 10 кОм, Rэ = 1,0 кОм, Rк = 2,2 кОм, R1 = R2 = 75 Ом. Требуется определить основные параметры каскада в области средних частот.
<b>Задача  2.3.1.</b> Усилительный каскад с ОБ (рисунок 2.7) построен на транзисторе типа КТ503А. Номиналы резисторов следующие: R<sub>б1</sub> = 27 кОм, R<sub>б2</sub> = 10 кОм, Rэ = 1,0 кОм, Rк = 2,2 кОм, R1 = R2 = 75 Ом. Требуется определить основные параметры каскада в области средних частот.


Артикул №1167029
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 25.06.2025)
Рассчитать основные параметры усилительного каскада с RС-связью на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером; усилительный каскад работает в режиме класса А. Расчету подлежат параметры элементов схемы (R1, R2, Rэ, C1, C2, Сэ), величина напряжения источника питания Ек, входное и выходное сопротивление каскада (Rвх, Rвых), коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности (Ki, Ku, Kp), коэффициент частотных искажений на верхней частоте полосы пропускания (Мв). Кроме того, полагая внутреннее сопротивление источника входного сигнала равным выходному сопротивлению исследуемого каскада, определить величину ЭДС источника входного сигнала.
Вариант 10
Дано
Uнm=4,9 В;
Rн=2000 Ом;
Rк=610 Ом;
fн=70 Гц;
fв=15 кГц;
Mнс1=1,07;
Mнс2=1,05; M_нс3=1,14;
Транзистор: МП41 А;
Uкэ доп=15 В;
Iк доп=20 мА;
Pк доп=150 мВт;
Cк=45 пФ; fα=2 МГц;

Рассчитать основные параметры усилительного каскада с RС-связью на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером; усилительный каскад работает в режиме класса А. Расчету подлежат параметры элементов схемы (R1, R2, Rэ, C1, C2, Сэ), величина напряжения источника питания Ек, входное и выходное сопротивление каскада (Rвх, Rвых), коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности (Ki, Ku, Kp), коэффициент частотных искажений на верхней частоте полосы пропускания (Мв). Кроме того, полагая внутреннее сопротивление источника входного сигнала равным выходному сопротивлению исследуемого каскада, определить величину ЭДС источника входного сигнала. <br /><b>Вариант 10</b><br />Дано <br />Uнm=4,9 В; <br />Rн=2000 Ом; <br />Rк=610 Ом; <br />fн=70 Гц; <br />fв=15 кГц; <br />Mнс1=1,07; <br />Mнс2=1,05; M_нс3=1,14; <br />Транзистор: МП41 А; <br />Uкэ доп=15 В; <br />Iк доп=20 мА; <br />Pк доп=150 мВт; <br />Cк=45 пФ; fα=2 МГц;


Артикул №1166994
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 22.06.2025)
Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей (курсовая работа)
Вариант 21 (Шифр Сх 1.П5.ОИ.М3)

Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей (курсовая работа) <br /><b>Вариант 21 (Шифр Сх 1.П5.ОИ.М3)</b>


Артикул №1166308
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 11.03.2025)
Рассчитать усилительный каскад по вариантам согласно таблице, результаты вычисления округлить до стандарта номиналов по ряду Е12.
Ряд Е12: 1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2
Вариант 9

Рассчитать усилительный каскад по вариантам согласно таблице, результаты вычисления округлить до стандарта номиналов по ряду Е12.  <br />Ряд Е12: 1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2<br /><b>Вариант 9</b>


Артикул №1166073
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 07.02.2025)
Еэ = 0,8 В; Ек = 2,2 В; Rэ = 2 К; Rн = 2 К, β = 80
Определить: iвх, Uвых

Еэ = 0,8 В; Ек = 2,2 В; Rэ = 2 К; Rн = 2 К, β = 80<br />Определить: iвх, Uвых


Артикул №1166072
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 07.02.2025)
ЕК=15 В; RН=2 К; RЭ=10 К; β=50.
Определить: iБ, UВЫХ

Е<sub>К</sub>=15 В; R<sub>Н</sub>=2 К; R<sub>Э</sub>=10 К; β=50. <br />Определить: i<sub>Б</sub>, U<sub>ВЫХ</sub>


Артикул №1166067
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 07.02.2025)
Для заданной схемы транзисторного усилительного каскада определить:
Амплитуду Uвых и Iвых, если Eк = 16 В; Rк = 7.5 кОм; Eсм = 3 В; Rэ = 2,7 кОм; Cр = 100 мкФ; ег = 0,5 В; Rг = 1,5 кОм; f = 1000 Гц.
Параметры транзистора: rб = 200 Ом; rэ = 30 Ом; rк* = 75 кОм; β = 50

Для заданной схемы транзисторного усилительного каскада определить: <br />Амплитуду Uвых и Iвых, если Eк = 16 В; Rк = 7.5 кОм; Eсм = 3 В; Rэ = 2,7 кОм; Cр = 100 мкФ; ег = 0,5 В; Rг = 1,5 кОм; f = 1000 Гц.  <br />Параметры транзистора: rб = 200 Ом; rэ = 30 Ом; rк* = 75 кОм; β = 50


Артикул №1166013
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 05.02.2025)
Вариант 15
Eп=30 В; IКО=10 мкА; R1=4К2; R2=2 К; Rэ=300; β=98.
Определить: iэ

<b>Вариант 15</b><br />Eп=30 В; I<sub>КО</sub>=10 мкА; R1=4К2; R2=2 К; Rэ=300; β=98. <br />Определить: iэ


Артикул №1165940
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 29.01.2025)
Графо-аналитическим способом рассчитать режим усиления биполярного транзистора при условии получения максимальной выходной мощности и минимальных искажений выходного сигнала. Рассчитать элементы схемы, обеспечивающей этот режим.
Вариант 81
1. Тип схемы включения транзистора – схема 2.
2. Входные и выходные характеристики транзистора – характеристика 3.
3. Напряжение питания схемы и сопротивление коллектора: Eк=18 В; Rк=100 Ом.
4. Ток делителя для второй схемы. Iдел=6∙Iб0.

Графо-аналитическим способом рассчитать режим усиления биполярного транзистора при условии получения максимальной выходной мощности и минимальных искажений выходного сигнала. Рассчитать элементы схемы, обеспечивающей этот режим.  <br /><b>Вариант 81</b> <br />1. Тип схемы включения транзистора – схема 2.  <br />2. Входные и выходные характеристики транзистора – характеристика 3.  <br />3. Напряжение питания схемы и сопротивление коллектора:  Eк=18 В; Rк=100 Ом. <br />4. Ток делителя для второй схемы.  I<sub>дел</sub>=6∙I<sub>б0</sub>.


Артикул №1165929
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 23.01.2025)
Задача 4
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, коэффициент h21э, величину сопротивлений нагрузки Rк1 и Rk2 и мощность на коллекторе Pк1 и Pk2, если известно напряжение на базе Uбэ = 0,25 В, напряжение на коллекторе Uкэ1 = 10 В, Uкэ2 = 20 В и напряжение питания Eк = 40 В.

<b>Задача 4</b> <br />Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, коэффициент h21э, величину сопротивлений нагрузки Rк1 и Rk2 и мощность на коллекторе Pк1 и Pk2, если известно напряжение на базе Uбэ = 0,25 В, напряжение на коллекторе Uкэ1 = 10 В, Uкэ2 = 20 В и напряжение питания Eк = 40 В.


Артикул №1165789
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 04.12.2024)
Вариант 13
Задача 1
ЕП=-7 В; UВХ=1 В; RК=2 К; RЭ=3 К; β=98.
Определить: iБ, iЭ

<b>Вариант 13</b><br />Задача 1  <br />Е<sub>П</sub>=-7 В; U<sub>ВХ</sub>=1 В; R<sub>К</sub>=2 К; R<sub>Э</sub>=3 К; β=98. <br />Определить: iБ, iЭ


Артикул №1165767
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 23.11.2024)
Ек = 15 В; Uзап = 0; Uотп = 3,5 В;
Параметры VT1: β = 35; Uкэнас = 0,25 В; Uбэнас = 0,7 В; UHL1 = 1,8 В.
Рассчитать Rб и Rк, при которых обеспечивается IHL1=Iкн = 20 мА и степень насыщения S=2.

Ек = 15 В; Uзап = 0; Uотп = 3,5 В; <br />Параметры VT1: β = 35; Uкэнас = 0,25 В; Uбэнас = 0,7 В; U<sub>HL1</sub> = 1,8 В. <br />Рассчитать Rб и Rк, при которых обеспечивается I<sub>HL1</sub>=Iкн = 20 мА и степень насыщения S=2.


Артикул №1165731
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 09.11.2024)
Вариант 12
RБ=2 К; RН=500 ; UВХ=2 В; IКО=10 мкА; β=50.
Определить: Uвых

<b>Вариант 12</b><br />R<sub>Б</sub>=2 К; R<sub>Н</sub>=500 ; U<sub>ВХ</sub>=2 В; I<sub>КО</sub>=10 мкА; β=50.<br />Определить: Uвых


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 200000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:


    Договор оферты