Артикул: 1165728

Раздел:Технические дисциплины (109226 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4252 шт.) >
  Транзисторные каскады (585 шт.)

Название или условие:
Вариант 20
ЕП=10 В; Rэ= 500; R1=1К2; R2=1К2; β=50.
Определить: iэ

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Вариант 20</b><br />Е<sub>П</sub>=10 В; Rэ= 500; R1=1К2; R2=1К2; β=50. <br />Определить: iэ

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Для усилительного каскада на рис. 5-1 рассчитайте режим на входе и выходе:
а) в состоянии покоя (при отсутствии усиливаемого сигнала: uвх(t)=0 В
б) определить функции зависимости от времени Iб(t), iк(t), uк(t) при воздействии малого синусоидального сигнала ec(t) = Em sin wt невысокой частоты с амплитудой Em = 50 мВ.
в) найти коэффициенты усиления данного каскада по напряжению Kг и по току Ki для переменной составляющей входного сигнала
г) построить график выходного сигнала Uк(t).
Вариант 5 (транзистор КТ301)

Задача 23. Составить схему замещения каскада (см. рис.1) и рассчитать его динамические параметры при h21 = 50, h11 = 1 кОм, RБ = 120 кОм, RК = 5 кОм, для трех значений сопротивления нагрузки: Rн1 = 0,5 кОм, Rн2 = 5 кОм, Rн3 = 15 кОм. Как зависит режим работы каскада от сопротивления нагрузки? Параметрами h12 и h22 транзистора пренебречь.
Вариант 4
Rэ = 1 К; Rн = 1 К; Eэ = 10 В; Ек = 40 В; β = 98.
Определить: iвх , Uвых

Задача 25. Схема каскада на полевом транзисторе со встроенным n-каналом показана на рис. 1. Составить схему замещения каскада для динамического режима и рассчитать его динамические параметры при R1=5 МОм, R2=1 МОм, Rс=12 кОм, Rн=20 кОм, S=2 мА/В, Ri=200 кОм.
Еэ = 0,8 В; Ек = 2,2 В; Rэ = 2 К; Rн = 2 К, β = 80
Определить: iвх, Uвых

Расчет однокаскадного усилителя биполярного транзистора (Курсовая работа)
Дано: транзистор КТ3102Г

Задача 42. Схема электронного ключа на транзисторе КТ315А приведена на рис. 1. Параметры элементов схемы: EК = 12 В, h21 = 50, RК = 2 кОм, RН = 5 кОм, R1 = 10 кОм. Определить UВХ и UН при работе транзистора в режимах отсечки и насыщения. Напряжением UБЭ и тепловым током 1К0 пренебречь. Показать форму выходного напряжения, если на вход схемы поступают прямоугольные импульсы с амплитудой Uт = 2 В, частотой f = 1 кГц и скважностью Q = 5.
Лабораторная работа:
УСИЛИТЕЛИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. КАСКАД С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование характеристик и параметров усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером. Исследование влияния обратной связи на параметры каскада. Изучение методов измерения параметров усилителей.
Вариант 8 (транзистор BSS72)

Вариант 13
Задача 1
ЕП=-7 В; UВХ=1 В; RК=2 К; RЭ=3 К; β=98.
Определить: iБ, iЭ

Для заданной схемы транзисторного усилительного каскада определить:
Амплитуду Uвых и Iвых, если Eк = 16 В; Rк = 7.5 кОм; Eсм = 3 В; Rэ = 2,7 кОм; Cр = 100 мкФ; ег = 0,5 В; Rг = 1,5 кОм; f = 1000 Гц.
Параметры транзистора: rб = 200 Ом; rэ = 30 Ом; rк* = 75 кОм; β = 50