Артикул: 1165514

Раздел:Технические дисциплины (109012 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4214 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1146 шт.)

Название или условие:
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
«Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»

Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи:
− изучить теоретический материал;
− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков;
− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор;
− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально;
− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

Описание:
Оглавление
Введение.........................................................................................................................................4
1. Теоретическая часть ..........................................................................................................5
2. ХОД РАБОТЫ....................................................................................................................6
2.1 Стабилитрон BZX84C3V3 ......................................................................................8
2.2 Кремниевый диод 1N4148 ....................................................................................10
2.3 Транзистор..............................................................................................................12
2.4 Диод Шоттки 1N5819............................................................................................14
2.5 Светодиод FYLS0603-UGC ..................................................................................16
Заключение...................................................................................................................................18



Изображение предварительного просмотра:

<b>ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2<br /> «Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»</b><br />Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать  их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи: <br />− изучить теоретический материал; <br />− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с  указанием основные параметров на линиях этих графиков; <br />− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого  из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор; <br />− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и  экспериментально; <br />− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из  документации

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные.
2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора.
3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ).
4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ).
5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ.
6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора.
7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα.
8. Выводы.
Вариант 17
Дано
Транзистор ГТ321Г
Uкэ=7,5 В;
Iб=1 мА;
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора

1. Цель работы Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.

Задача №3
По заданной марке и статическим характеристикам полевого транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада с общим истоком (ОИ):
а) записать исходные данные:
марка транзистора – КП302А, тип транзистора – полевой, канал типа - n
напряжение источника питания стоковой цепи ЕС =12 В;
параметры рабочей точки:
значение тока стока при отсутствии входного сигнала IС0=3,2 мА;
значение напряжения сток-исток при отсутствии входного сигнала UСИ0=10 В.
б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с ОИ;
в) нарисовать входную (стоко-затворную) и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора с ОИ;
г) показать рабочую точку (по заданным IС0, UСИ0);
д) рассчитать малосигнальные электрические параметры и построить эквивалентную схему полевого транзистора на низкой частоте;
е) построить линию нагрузки;
ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;
з) для линейного (мало искажающего) режима усиления определить входное сопротивление RВХ и выходное RВЫХ, а также коэффициенты усиления по току КI, по напряжению КU и по мощности КР.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим р-n-переходом

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.

Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Вариант №36
На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы:
ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В.
Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.
2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора.
3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.
4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г).
5. Сделать выводы.
Вариант 5а ( МП10А )

Е1=0.8 В; Е2=15 В; RЭ=8 К; RК=16 К; β=95.
Определить: iЭ, iБ

Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения.
Uвх = -7 В
Uвых = -12 В.