1165111 <b>Задача 15.</b> Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.

Артикул: 1165111

Раздел:Технические дисциплины (108613 шт.) >
Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4196 шт.) >
Физические основы электроники (ФОЭ) (1141 шт.)

Название или условие:
Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача №2. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы): а) исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом; б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ; в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) построить линию нагрузки; д) рассчитать ток базы включения IБвкл; е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл; ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено ''; з) построить временные диаграммы токов и напряжений	Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1 Исследование идеализированного P-N перехода Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: - контактная разность потенциалов; - толщина; - тепловой ток (ток насыщения); - напряжение и тип пробоя; - барьерная ёмкость.
Вопрос 6. Какой коэффициент усиления α транзистора при включении с общей базой необходимо выбрать, чтобы коэффициент усиления β при включении с общим эмиттером был равен (Вариант 6) 90. Привести схемы	Лабораторная работа № 3, 4 Исследование характеристик биполярного транзистора 1. Цель работы Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2 «Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов» Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи: − изучить теоретический материал; − построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков; − построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор; − выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально; − вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации	1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе. 2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора. 3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме. 4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г). 5. Сделать выводы. Вариант 5а ( МП10А )
Задача №3 По заданной марке и статическим характеристикам полевого транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада с общим истоком (ОИ): а) записать исходные данные: марка транзистора – КП302А, тип транзистора – полевой, канал типа - n напряжение источника питания стоковой цепи ЕС =12 В; параметры рабочей точки: значение тока стока при отсутствии входного сигнала IС0=3,2 мА; значение напряжения сток-исток при отсутствии входного сигнала UСИ0=10 В. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с ОИ; в) нарисовать входную (стоко-затворную) и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора с ОИ; г) показать рабочую точку (по заданным IС0, UСИ0); д) рассчитать малосигнальные электрические параметры и построить эквивалентную схему полевого транзистора на низкой частоте; е) построить линию нагрузки; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала; з) для линейного (мало искажающего) режима усиления определить входное сопротивление RВХ и выходное RВЫХ, а также коэффициенты усиления по току КI, по напряжению КU и по мощности КР.	Кремниевый p-n-p транзистор с толщиной базы W = 25 мкм содержит N_Dб = 5•10¹⁵ см^-3 доноров в базе. Определить коэффициент передачи тока базы, если известно, что время жизни носителей τ_n = τ_p = 6,0 мкс, а удельное сопротивление эмиттерной области ρ_p = 0,01 Ом•см. Определить коэффициент обратной связи по напряжению для Uк = 6 В.
Лабораторная работа № 5 Исследование тиристора 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.	Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.