Артикул: 1164860

Раздел:Технические дисциплины (108362 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4125 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1133 шт.)

Название или условие:
Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой.
1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах.
2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные.
2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора.
3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ).
4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ).
5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ.
6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора.
7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα.
8. Выводы.
Вариант 17
Дано
Транзистор ГТ321Г
Uкэ=7,5 В;
Iб=1 мА;
В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Расшифруйте индексы вх и вых напряжений:
Uвх = 1,1В
Uвых = 0,5В

Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители»
N=3; M=11

Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B.
Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B.
Вид характеристики – № III.
Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА.
Номера вопросов – 11,42.

Лабораторная работа №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ»
Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры:
– тип контакта (омический или Шотки);
– сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются:
– контактная разность потенциалов;
– толщина;
– тепловой ток;
– барьерная емкость.
Вариант 3

ЗАДАЧА № 2
1. Найти параметр схемы
2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике
Вариант 4

Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=4 мА, ΔUзи =2 В, ΔUси = 1,6 В, ΔIз = 0,5 мкА. Ответ в мА/В.Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.