Артикул: 1164442

Раздел:Технические дисциплины (107944 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4073 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1123 шт.)

Название или условие:
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.		Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,6 В, ΔUси = 0,95 В, ΔIз = 0,1 мкА. Ответ в кОм.
ЗАДАЧА № 2
1. Найти параметр схемы
2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике
Вариант 4
Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В.
При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы.
N=5
Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм
ЗАДАЧА № 1.
Расчет параметров полупроводниковых диодов
Вариант 4
Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить:
1. Сопротивление базы диода.
2. Толщину базы диода.
3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении.
4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы.
5. Построить Вольт-амперную характеристику.
Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)
Лабораторная работа №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ»
Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры:
– тип контакта (омический или Шотки);
– сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются:
– контактная разность потенциалов;
– толщина;
– тепловой ток;
– барьерная емкость.
Вариант 3