Артикул: 1164410

Раздел:Технические дисциплины (107912 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (4041 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1094 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа №2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ.
Цель работы Исследование вольтамперных характеристик, определение основных параметров различных типов полупроводниковых диодов и стабилитронов и анализ простейших схем с полупроводниковыми диодами и стабилитронами.
Диоды 1N4001, D9E (1N4009), D816A, D815D

Описание:
Подробное решение в WORD+файл MathCad+файлы EWB

Поисковые тэги: Стабилитроны, Electronics WorkBench

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)	Лабораторная работа 2 Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода Цель работы. Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры. Вариант 7 (диод 1N4001)
Лабораторная работа 2 Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода Цель работы. Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры. Вариант 10 (диод 1N4005)	Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 3 (Полевой транзистор 2N5019, Биполярный транзистор 2N3250А)
Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)	Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить: 1. Сопротивление базы диода. 2. Толщину базы диода. 3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении. 4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы. 5. Построить Вольт-амперную характеристику.	Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2. Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.
Лабораторная работа 2 Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода Цель работы. Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры. Вариант 3 (диод 1N4150)	Лабораторная работа № 5 Исследование тиристора 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.