Артикул: 1163102

Раздел:Технические дисциплины (106620 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3949 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1084 шт.)

Название или условие:
Имеется переход и выполняется условие p>>n
а) Докажите, что справедливо равенство
Δφ0FpFn .
б) Получите формулу для максимального значения диффузионного потенциала в переходе для невырожденного полупроводника.
в) Переход образован из полупроводников типа-n и p, причем концентрации примесей соответствуют границам вырождения. Объясните, какого типа получится переход и почему.

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в слуычае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача №31
Определить коэффициент передачи тока базы β. Дано: Ек = 50 В; Rб = 100 кОм; Rк = 5 кОм; Uбэ = 0,9 В; Uкэ = 8,93 В.

Задача 4,4
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, определить ток коллектора Iк, коэффициент усиления h21э, величину сопротивлений нагрузки Rк и мощность на коллекторе Pк, если известно напряжение на базе Uбэ = 0,25 В, напряжение на коллекторе Uкэ = 10 В и напряжение питания Eк = 20 В.
Дано
Uбэ=0,25 В; Uкэ=10 В; Eк=20 В;

Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой
10. Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, являются (укажите правильный ответ – 2 балла):
10.1) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе
10.2) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
10.3) зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении на коллекторе
10.4) зависимость тока коллектора от напряжения база-коллектор при постоянном токе эмиттера
10.5) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжениии на базе
СОВРЕМЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ (Лабораторная работа)
4.1. Исследование МОП транзистора
4.1.1. Основные положения
4.1.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на МОПТ
4.2. Исследование биполярного транзистора с изолированным затвором
4.2.1. Основные положения4.2.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на БТИЗ

Определите показания приборов. Известно: Eк = 15 В, Rк = 500 Ом, Iб = 0,4 мА, коэффициент передачи базы тока β = 50. Обратным током коллектора Iк0 пренебречь.
Имеем диоды, выполненные из полупроводниковых материалов германия и кремния.
А) Докажите, что выполняется соотношение: (см. рисунок) Где rдSi; rдGe – дифференциальные сопротивления переходов. Доказательство провести для условий, что составляющие тепловых токов и внешние напряжения, приложенные к диодам, одинаковые
Б) Рассчитайте температурную зависимость отношения дифференциальных сопротивлений пункта а) при изменении температуры от -40 до 80 °С.

Вариант 11
Задача 1
Rб = 400; Rк = 200; Iко = 10 мкА; Еп = 8 В; Uвх = 0.5 В; β = 98.
Определить: iк.

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = -0,4 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89