Артикул: 1162279

Раздел:Технические дисциплины (105809 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3843 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1068 шт.)

Название или условие:
Какой режим работы транзистора соответствует области 1 на передаточной характеристики транзисторного ключа?
1. Активный
2. Отсечки
3. Насыщения
4. Инверсный
5. Малого тока базы

Описание:
Ответ на вопрос теста

Изображение предварительного просмотра:

Какой режим работы транзистора соответствует области 1 на передаточной характеристики транзисторного ключа? <br />1.	Активный <br />2.	Отсечки <br />3.	Насыщения <br />4.	Инверсный <br />5.	Малого тока базы

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 2 Вариант 17
E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95.
Определить: iэ, iб

Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98
Определить Iэ

Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
Е1=0.8 В; Е2=15 В; RЭ=8 К; RК=16 К; β=95.
Определить: iЭ, iБ

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
«Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»

Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи:
− изучить теоретический материал;
− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков;
− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор;
− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально;
− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.
1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.
2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора.
3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.
4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г).
5. Сделать выводы.
Вариант 5а ( МП10А )

Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.