Артикул: 1162274

Раздел:Технические дисциплины (105804 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3838 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1067 шт.)

Название или условие:
Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Описание:
Ответ на вопрос теста

Изображение предварительного просмотра:

<b>Вопрос 19</b> <br />Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм. <br />Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в слуычае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

СОВРЕМЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ (Лабораторная работа)
4.1. Исследование МОП транзистора
4.1.1. Основные положения
4.1.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на МОПТ
4.2. Исследование биполярного транзистора с изолированным затвором
4.2.1. Основные положения4.2.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на БТИЗ

10. Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, являются (укажите правильный ответ – 2 балла):
10.1) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе
10.2) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
10.3) зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении на коллекторе
10.4) зависимость тока коллектора от напряжения база-коллектор при постоянном токе эмиттера
10.5) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжениии на базе
Имеется полупроводник p- типа. Каким будет положение уровня Ферми относительно энергии акцепторного уровня при Т=0 и при некоторой температуре Т=Тmax? Обоснуйте свои выводы.Выходная характеристика полевого транзистора
1. Ic = f(Uс-и), Uз-и = const
2. Iз = f(Uз-и), Uс-и = const
3. Iс = f(Uз-и), Uс-и = const
Определите показания приборов. Известно: Eк = 15 В, Rк = 500 Ом, Iб = 0,4 мА, коэффициент передачи базы тока β = 50. Обратным током коллектора Iк0 пренебречь.
Задача 4,4
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, определить ток коллектора Iк, коэффициент усиления h21э, величину сопротивлений нагрузки Rк и мощность на коллекторе Pк, если известно напряжение на базе Uбэ = 0,25 В, напряжение на коллекторе Uкэ = 10 В и напряжение питания Eк = 20 В.
Дано
Uбэ=0,25 В; Uкэ=10 В; Eк=20 В;

Приведите графическое изображение вольт-амперных характеристик представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на них его основные параметры и дайте их определение.
Входное сопротивление полевого транзистора с изолированным затвором:
1. 10 Ом 2. 100 Ом. 3. 106 Ом
По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для толстой базы выполняются условия Cбrд=Cб•φT/I, Cдrд=τ;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие
Cбrд=Cдrд;
Примите Сб = 23 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.