Артикул: 1161748

Раздел:Технические дисциплины (105280 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3724 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1061 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа №6
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ
Цель работы: изучение принципа действия, исследование статических характеристик и определение дифференциальных параметров биполярного транзистора (БПТ), включенного по схеме: общий эмиттер (ОЭ).

Описание:
Контрольные вопросы
3. Что такое коэффициент передачи эмиттерного тока? От чего он зависит?
20. Какие статические характеристики биполярного транзистора при его включении по схеме с общей базой в активном режиме относятся к
«гибридной» (H-) системе?

Подробное решение в WORD+файл MathCad




Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1	С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания) • Увеличивается • Уменьшается • Остается неизменным • Задержка выключения не существует
Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)	Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2. Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.
Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)	Задание 4 На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 1 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор? • Транзистор заперт • Транзистор находится в режиме насыщения • Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления • Этот режим недопустим для транзистора.
В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой	Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой? • Параметр h11б • Параметр h12б • Параметр h21б • Параметр h22б
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 3 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор? • Транзистор заперт • Транзистор находится в режиме насыщения • Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления • Этот режим недопустим для транзистора.	Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току? • Схема с общей базой • Схема с общим эмиттером • Схема с общим коллектором • Любая схема имеет усиление по току