Артикул: 1161548

Раздел:Технические дисциплины (105083 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3703 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1052 шт.)

Название или условие:
Задача 1
Прямой ток полупроводникового диода Id1 = 0.63 A при напряжении Ud1 = 0,45 В и температуре t = 28° C. Определить обратный ток диода I0 и дифференциальное сопротивление rдиф при Ud2 = 0,12 В. Построить вольт-амперную характеристику диода Id=f(Ud) при изменении Ud в диапазоне от 0 до 0.7 В с шагом ΔUd=0.01 В.
Вариант 1

Описание:
Подробное решение в WORD+файл MathCad

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Построить, с комментариями, передаточную характеристику и сфазированные диаграммы напряжений u1(t) и u2(t), если u1(t) = Um•sin(ωt), причем Um = 6В, R1=R2. Определить среднее значение выходного напряжения	P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)
Лабораторная работа: ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров. Вариант 8 (транзистор BSS71)	1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе. 2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора. 3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме. 4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г). 5. Сделать выводы. Вариант 5а ( МП10А )
Кремниевый p-n-p транзистор с толщиной базы W = 25 мкм содержит NDб = 5•1015 см-3 доноров в базе. Определить коэффициент передачи тока базы, если известно, что время жизни носителей τn = τp = 6,0 мкс, а удельное сопротивление эмиттерной области ρp = 0,01 Ом•см. Определить коэффициент обратной связи по напряжению для Uк = 6 В.	Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.
Задача №2. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы): а) исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом; б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ; в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) построить линию нагрузки; д) рассчитать ток базы включения IБвкл; е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл; ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено ''; з) построить временные диаграммы токов и напряжений	Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой. 1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах. 2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.	Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители» N=3; M=11 Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению. Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B. Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B. Вид характеристики – № III. Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА. Номера вопросов – 11,42.