Артикул: 1161406

Раздел:Технические дисциплины (104983 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3698 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1049 шт.)

Название или условие:
Для выданного варианта задания по исходным данным (табл. 2.28) рассчитать динамические параметры транзисторного каскада усиления, последовательно выполнив следующие задания.
1. Начертить изображение транзистора в виде четырехполюсника.
2. Начертить схемы включения транзистора.
3. По физическим или h-параметрам заданной схемы включения транзистора вычислить параметры других схем включения.
4. Начертить эквивалентную схему усилительного каскада с h-параметрами.
5. Вычислить динамические параметры усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК.
6. Вычислить недостающие физические или h-параметры по формулам табл. 2.27.
7. Результаты расчетов оформить таблицей (см. табл. 2.29).
8. Сделать сравнительные выводы по полученным результатам исследований для разных схем включения транзистора.
Вариант 5

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Для выданного варианта задания по исходным данным (табл. 2.28) рассчитать динамические параметры транзисторного каскада усиления, последовательно выполнив следующие задания. <br />1. Начертить изображение транзистора в виде четырехполюсника. <br />2. Начертить схемы включения транзистора. <br />3. По физическим или h-параметрам заданной схемы включения транзистора вычислить параметры других схем включения. <br />4. Начертить эквивалентную схему усилительного каскада с  h-параметрами. <br />5. Вычислить динамические параметры усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК. <br />6. Вычислить недостающие физические или h-параметры по формулам табл. 2.27. <br />7. Результаты расчетов оформить таблицей (см. табл. 2.29). <br />8. Сделать сравнительные выводы по полученным результатам исследований для разных схем включения транзистора.  <br /><b>Вариант 5</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 3 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор?
• Транзистор заперт
• Транзистор находится в режиме насыщения
• Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления
• Этот режим недопустим для транзистора.

В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой?
• Параметр h11б
• Параметр h12б
• Параметр h21б
• Параметр h22б
Сколько режимов работы есть у биполярного транзистора? Укажите возможные состояния p-n-перехода транзистора
• Один
• Два
• Три
• Четыре
Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются
• МОП-транзисторы с индуцируемым каналом
• МОП-транзисторы с встроенным каналом
• МОП-транзисторы любого типа
• Любые полевые транзисторы, включая унитроны
Задание 9
При изменении тока от 4-х до 20 мА напряжение на стабилитроне изменилось на 0,12 В. Чему равно дифференциальное сопротивление этого стабилитрона?
Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки
• Не требуется
• Требуется всегда, как и для биполярного транзистора
• Требуется только при работе в особых условиях
• Не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является истоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3