Артикул: 1161406

Раздел:Технические дисциплины (104983 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3698 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1049 шт.)

Название или условие:
Для выданного варианта задания по исходным данным (табл. 2.28) рассчитать динамические параметры транзисторного каскада усиления, последовательно выполнив следующие задания.
1. Начертить изображение транзистора в виде четырехполюсника.
2. Начертить схемы включения транзистора.
3. По физическим или h-параметрам заданной схемы включения транзистора вычислить параметры других схем включения.
4. Начертить эквивалентную схему усилительного каскада с h-параметрами.
5. Вычислить динамические параметры усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК.
6. Вычислить недостающие физические или h-параметры по формулам табл. 2.27.
7. Результаты расчетов оформить таблицей (см. табл. 2.29).
8. Сделать сравнительные выводы по полученным результатам исследований для разных схем включения транзистора.
Вариант 5

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Для выданного варианта задания по исходным данным (табл. 2.28) рассчитать динамические параметры транзисторного каскада усиления, последовательно выполнив следующие задания. <br />1. Начертить изображение транзистора в виде четырехполюсника. <br />2. Начертить схемы включения транзистора. <br />3. По физическим или h-параметрам заданной схемы включения транзистора вычислить параметры других схем включения. <br />4. Начертить эквивалентную схему усилительного каскада с  h-параметрами. <br />5. Вычислить динамические параметры усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК. <br />6. Вычислить недостающие физические или h-параметры по формулам табл. 2.27. <br />7. Результаты расчетов оформить таблицей (см. табл. 2.29). <br />8. Сделать сравнительные выводы по полученным результатам исследований для разных схем включения транзистора.  <br /><b>Вариант 5</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты

Вариант 11
Задача 1
Rб = 400; Rк = 200; Iко = 10 мкА; Еп = 8 В; Uвх = 0.5 В; β = 98.
Определить: iк.

11. Сопротивление канала в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом изменяется при изменении (укажите правильный ответ – 2 балла):
11.1) удельного сопротивления материала канала
11.2) длины канала
11.3) напряжения сток-исток
11.4) поперечной площади канала
11.5) тока, протекающего от затвора в канал
Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Какой режим работы транзистора соответствует области 1 на передаточной характеристики транзисторного ключа?
1. Активный
2. Отсечки
3. Насыщения
4. Инверсный
5. Малого тока базы

Лабораторная работа 13
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

Цель работы: изучение свойств и экспериментальные исследования биполярных транзисторов.
Вариант 22 (транзистор 2N6058)

Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Цель работы: Овладение методикой экспериментального исследования и приобретение опыта практических испытаний полупроводникового выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона (далее просто диода и стабилитрона).
Вариант 22 (Диод 1N914; Стабилитрон 1N4748)

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Задача №31
Определить коэффициент передачи тока базы β. Дано: Ек = 50 В; Rб = 100 кОм; Rк = 5 кОм; Uбэ = 0,9 В; Uкэ = 8,93 В.

Лабораторная работа №6
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

Цель работы: изучение принципа действия, исследование статических характеристик и определение дифференциальных параметров биполярного транзистора (БПТ), включенного по схеме: общий эмиттер (ОЭ).