Артикул: 1161406

Раздел:Технические дисциплины (104983 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3698 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1049 шт.)

Название или условие:
Для выданного варианта задания по исходным данным (табл. 2.28) рассчитать динамические параметры транзисторного каскада усиления, последовательно выполнив следующие задания.
1. Начертить изображение транзистора в виде четырехполюсника.
2. Начертить схемы включения транзистора.
3. По физическим или h-параметрам заданной схемы включения транзистора вычислить параметры других схем включения.
4. Начертить эквивалентную схему усилительного каскада с h-параметрами.
5. Вычислить динамические параметры усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК.
6. Вычислить недостающие физические или h-параметры по формулам табл. 2.27.
7. Результаты расчетов оформить таблицей (см. табл. 2.29).
8. Сделать сравнительные выводы по полученным результатам исследований для разных схем включения транзистора.
Вариант 5

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Для выданного варианта задания по исходным данным (табл. 2.28) рассчитать динамические параметры транзисторного каскада усиления, последовательно выполнив следующие задания. <br />1. Начертить изображение транзистора в виде четырехполюсника. <br />2. Начертить схемы включения транзистора. <br />3. По физическим или h-параметрам заданной схемы включения транзистора вычислить параметры других схем включения. <br />4. Начертить эквивалентную схему усилительного каскада с  h-параметрами. <br />5. Вычислить динамические параметры усилительных каскадов, собранных на маломощном транзисторе, который включается по одной из схем: ОБ, ОЭ и ОК. <br />6. Вычислить недостающие физические или h-параметры по формулам табл. 2.27. <br />7. Результаты расчетов оформить таблицей (см. табл. 2.29). <br />8. Сделать сравнительные выводы по полученным результатам исследований для разных схем включения транзистора.  <br /><b>Вариант 5</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора
• Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты
Задание 9
При изменении тока от 4-х до 20 мА напряжение на стабилитроне изменилось на 0,12 В. Чему равно дифференциальное сопротивление этого стабилитрона?
Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току?
• Схема с общей базой
• Схема с общим эмиттером
• Схема с общим коллектором
• Любая схема имеет усиление по току
ЗАДАНИЕ №1
Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить
1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С;
2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода;
3. Исходные данные в табл.1.
Вариант 5, рисунок 1

Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2.
Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.

Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
Задание 3
В режиме насыщения биполярного транзистора

• Эмиттерный переход открыт, коллекторных закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты.