Артикул: 1160954

Раздел:Технические дисциплины (104642 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3662 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1038 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа №1б
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНОВ

Цель работы Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых стабилитронов. Освоение методики расчета схемы параметрического стабилизатора напряжения.
Исходные данные для расчета
Первый диод – Диод №4 (BZW03C13)
Второй диод – Диод №11 (SML4735)
Измененная температура – 50 градусов Цельсия

Описание:
Подробное решение в WORD+вспомогательные файлы (всего 11 файлов)

Изображение предварительного просмотра:

<b>Лабораторная работа №1б <br />ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНОВ</b> <br />Цель работы Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых стабилитронов. Освоение методики расчета схемы параметрического стабилизатора напряжения.<br /><b> Исходные данные для расчета</b> <br />Первый диод – Диод №4 (BZW03C13) <br />Второй диод – Диод №11 (SML4735) <br />Измененная температура – 50 градусов Цельсия

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в слуычае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

10. Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, являются (укажите правильный ответ – 2 балла):
10.1) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе
10.2) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
10.3) зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении на коллекторе
10.4) зависимость тока коллектора от напряжения база-коллектор при постоянном токе эмиттера
10.5) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжениии на базе
Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Практическая работа № 1
Моделирование электрических цепей

Цель работы: научиться создавать расчетные схемы и выполнять их расчет по постоянному току, по переменному току, а также производить анализ переходных процессов.
Задачи:
- исследовать вольтамперную характеристику диода;
Выбираем диод 1N6306R.

Для диода с резким p-n-переходом рассчитать:
1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода;
2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода;
3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода;
4) удельное сопротивление базы;
5) контактную разность потенциалов;
6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
9) удельное сопротивление эмиттера.
Построить вольт-амперную характеристику диода.
Вариант 40
Дано
Материал: Ge
Тип диода: p+–n
T=395 К;
Uобр доп=290 В;
jн=0,12 А/см2;
S=10-3 см2
Задача 2
Определить токи транзистора IБ, IЭ, IК и напряжения на его зажимах UБ, UЭ, UК относительно общей шины (φ=0)
Вариант 1
Дано
Rк=4,7 кОм;
Rэ=3,3 кОм;
V=10 В;
Uб=8 В;

11. Сопротивление канала в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом изменяется при изменении (укажите правильный ответ – 2 балла):
11.1) удельного сопротивления материала канала
11.2) длины канала
11.3) напряжения сток-исток
11.4) поперечной площади канала
11.5) тока, протекающего от затвора в канал
Задание 11
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 0,8 мА. Определите напряжение UкэА в рабочей точке транзистора после замыкания ключа SW, если RБ1 = 120 кОм, RБ2 = 240 кОм, RK = 3 кОм, а напряжение питания Е = 12 В.
В ответе запишите значение напряжения в вольтах.

Лабораторная работа 13
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

Цель работы: изучение свойств и экспериментальные исследования биполярных транзисторов.
Вариант 22 (транзистор 2N6058)

Дайте определение полупроводникового диода. Приведите его условное графическое обозначение, обозначьте на нем названия электродов и поясните их функциональное назначение.