Артикул: 1160894

Раздел:Технические дисциплины (104583 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3650 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1035 шт.)

Название или условие:
Вопрос 1
Объяснить смысл электронной и дырочной электропроводности полупроводников. Рассказать о влиянии примесей на их проводимость

Описание:
Ответ на теоретический вопрос - 2 страницы

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в слуычае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Практическая работа № 1
Моделирование электрических цепей

Цель работы: научиться создавать расчетные схемы и выполнять их расчет по постоянному току, по переменному току, а также производить анализ переходных процессов.
Задачи:
- исследовать вольтамперную характеристику диода;
Выбираем диод 1N6306R.

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = -0,4 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Лабораторная работа №6
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

Цель работы: изучение принципа действия, исследование статических характеристик и определение дифференциальных параметров биполярного транзистора (БПТ), включенного по схеме: общий эмиттер (ОЭ).

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Какой режим работы транзистора соответствует области 1 на передаточной характеристики транзисторного ключа?
1. Активный
2. Отсечки
3. Насыщения
4. Инверсный
5. Малого тока базы

Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты

Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Выходная характеристика полевого транзистора
1. Ic = f(Uс-и), Uз-и = const
2. Iз = f(Uз-и), Uс-и = const
3. Iс = f(Uз-и), Uс-и = const