Артикул: 1160760

Раздел:Технические дисциплины (104457 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3617 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1030 шт.)

Название или условие:
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (рисунок 1,2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искаженной формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI , напряжению КU и мощности КP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Задача 1:</b> Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (рисунок 1,2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:  <br />а) построить линию нагрузки; <br />б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искаженной формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;  <br />в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI , напряжению КU и мощности КP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность Р<sub>ПОТР</sub> и коэффициент полезного действия η.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются
• МОП-транзисторы с индуцируемым каналом
• МОП-транзисторы с встроенным каналом
• МОП-транзисторы любого типа
• Любые полевые транзисторы, включая унитроны
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)

Ток через p-n-переход протекает, если
• Потенциал p-области более положительный, чем n-области
• Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области
• Обе области p и n имеют одинаковый потенциал
• Потенциалы к областям p и n не приложены
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой?
• Параметр h11б
• Параметр h12б
• Параметр h21б
• Параметр h22б
Сколько режимов работы есть у биполярного транзистора? Укажите возможные состояния p-n-перехода транзистора
• Один
• Два
• Три
• Четыре
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки
• Не требуется
• Требуется всегда, как и для биполярного транзистора
• Требуется только при работе в особых условиях
• Не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом