Артикул: 1160664

Раздел:Технические дисциплины (104374 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3611 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1026 шт.)

Название или условие:
Задача 8. Найти, как изменится объемное положение уровня Ферми φ0 в электронном арсениде галлия GaAs с ρ = 1 Ом•см при изменении температуры от Т = 300 К до Т = 77 К

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой
Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты

Задача №31
Определить коэффициент передачи тока базы β. Дано: Ек = 50 В; Rб = 100 кОм; Rк = 5 кОм; Uбэ = 0,9 В; Uкэ = 8,93 В.

Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для толстой базы выполняются условия Cбrд=Cб•φT/I, Cдrд=τ;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие
Cбrд=Cдrд;
Примите Сб = 23 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.
Входное сопротивление полевого транзистора с изолированным затвором:
1. 10 Ом 2. 100 Ом. 3. 106 Ом
Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Практическая работа № 1
Моделирование электрических цепей

Цель работы: научиться создавать расчетные схемы и выполнять их расчет по постоянному току, по переменному току, а также производить анализ переходных процессов.
Задачи:
- исследовать вольтамперную характеристику диода;
Выбираем диод 1N6306R.

Задание 11
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 0,8 мА. Определите напряжение UкэА в рабочей точке транзистора после замыкания ключа SW, если RБ1 = 120 кОм, RБ2 = 240 кОм, RK = 3 кОм, а напряжение питания Е = 12 В.
В ответе запишите значение напряжения в вольтах.

Дайте определение полупроводникового диода. Приведите его условное графическое обозначение, обозначьте на нем названия электродов и поясните их функциональное назначение.