Артикул: 1160661

Раздел:Технические дисциплины (104371 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3608 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1023 шт.)

Название или условие:
Задача 1. Уровень Ферми полупроводника находится на 0,3 эВ ниже дна зоны проводимости. Какова вероятность того, что при комнатной температуре энергетические уровни, расположенные на расстоянии 3kT выше дна зоны проводимости, заняты электронами? Какова вероятность того, что уровень у потолка валентной зоны содержит дырки, если ширина запрещенной зоны 1,1 эВ?

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Входное сопротивление полевого транзистора с изолированным затвором:
1. 10 Ом 2. 100 Ом. 3. 106 Ом
Определите показания приборов. Известно: Eк = 15 В, Rк = 500 Ом, Iб = 0,4 мА, коэффициент передачи базы тока β = 50. Обратным током коллектора Iк0 пренебречь.
Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой
Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для толстой базы выполняются условия Cбrд=Cб•φT/I, Cдrд=τ;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие
Cбrд=Cдrд;
Примите Сб = 23 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.
Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Практическая работа № 1
Моделирование электрических цепей

Цель работы: научиться создавать расчетные схемы и выполнять их расчет по постоянному току, по переменному току, а также производить анализ переходных процессов.
Задачи:
- исследовать вольтамперную характеристику диода;
Выбираем диод 1N6306R.

Лабораторная работа 13
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

Цель работы: изучение свойств и экспериментальные исследования биполярных транзисторов.
Вариант 22 (транзистор 2N6058)

СОВРЕМЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ (Лабораторная работа)
4.1. Исследование МОП транзистора
4.1.1. Основные положения
4.1.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на МОПТ
4.2. Исследование биполярного транзистора с изолированным затвором
4.2.1. Основные положения4.2.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на БТИЗ

Какой режим работы транзистора соответствует области 1 на передаточной характеристики транзисторного ключа?
1. Активный
2. Отсечки
3. Насыщения
4. Инверсный
5. Малого тока базы