Артикул: 1160658

Раздел:Технические дисциплины (104368 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3605 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1020 шт.)

Название или условие:
Задача 9. Рассчитать и сравнить дебаевские длины экранирования LD в собственных полупроводниках – кремнии Si, германии Ge, арсениде галлия GaAs, антимониде индия InSb при комнатной температуре.

Поисковые тэги: Закон Дебая

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Ток коллектора биполярного транзистора Iк = 1,95 мА, а ток базы Iб = 0,05 мА. Чему равен коэффициент передачи тока эмиттера?
В ответе запишите результаты вычислений с точностью до тысячных долей.
Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2.
Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.

Задание 3
В режиме насыщения биполярного транзистора

• Эмиттерный переход открыт, коллекторных закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты.
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является стоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

Ток через p-n-переход протекает, если
• Потенциал p-области более положительный, чем n-области
• Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области
• Обе области p и n имеют одинаковый потенциал
• Потенциалы к областям p и n не приложены
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором на базу транзистора подаётся запирающее напряжение, в результате чего ток через транзистор протекает только в течении части полупериода входного напряжения?
• Классу А
• Классу В
• Классу С
• Классу АВ