Артикул: 1160658

Раздел:Технические дисциплины (104368 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3605 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1020 шт.)

Название или условие:
Задача 9. Рассчитать и сравнить дебаевские длины экранирования LD в собственных полупроводниках – кремнии Si, германии Ge, арсениде галлия GaAs, антимониде индия InSb при комнатной температуре.

Поисковые тэги: Закон Дебая

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току? • Схема с общей базой • Схема с общим эмиттером • Схема с общим коллектором • Любая схема имеет усиление по току	Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором усиливаются обе полуволны входного напряжения, а рабочая точка выбирается в середине линейного участка входной характеристики транзистора? • Классу А • Классу В • Классу С • Классу АВ
Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)	Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки • Не требуется • Требуется всегда, как и для биполярного транзистора • Требуется только при работе в особых условиях • Не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом
ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1	Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой? • Параметр h11б • Параметр h12б • Параметр h21б • Параметр h22б
Полевой транзистор с p-n-переходом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала	В несимметричном p-n-переходе область с меньшей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой
В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой	Ток коллектора биполярного транзистора Iк = 1,95 мА, а ток базы Iб = 0,05 мА. Чему равен коэффициент передачи тока эмиттера? В ответе запишите результаты вычислений с точностью до тысячных долей.