Артикул: 1160647

Раздел:Технические дисциплины (104357 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3594 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1009 шт.)

Название или условие:
Задача 1. В кристалле германия n-типа на каждые 103 атомов германия приходится один атом донорной примеси. Полагая, что эффективная масса электрона m равна 1/2 массы покоя электрона, найти положение уровня Ферми относительно дна зоны проводимости при комнатной температуре (T = 300 К) (а); при какой концентрации донорной примеси уровень Ферми совпадает с дном зоны проводимости (б)?

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОмОпределить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,2 В, ΔUси = 1 В, ΔIз = 2 мкА. Ответ в мА/В.
Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=3 мА, ΔI2 =40 мА, ΔU1 = 0,36 В, ΔU2 = 6 В. Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,8 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=6 мА, ΔI2 =24 мА, ΔU1 = 0,2 В, ΔU2 = 3 В.
Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 1 мкА. Ответ в мА/В.Определить по характеристике Rдиф при 1 = 28; 2 = 18; 3 = 0,6; 4 = 0,8. Ответ в Ом.
Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=3 мА, ΔI2 =18 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 5 В. Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =10 мА, ΔU1 = 0,1 В, ΔU2 = 6 В.