Артикул: 1160638

Раздел:Технические дисциплины (104348 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3589 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1004 шт.)

Название или условие:
Задача 1. В кристалле кремния p-типа на каждые 103 атомов кремния приходится один атом акцепторной примеси. Найти положение уровня Ферми при комнатной температуре (T = 300 К) относительно валентной зоны (а); при какой концентрации акцепторной примеси уровень Ферми совпадает с потолком валентной зоны (б)?

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Для диода с резким p-n-переходом рассчитать:
1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода;
2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода;
3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода;
4) удельное сопротивление базы;
5) контактную разность потенциалов;
6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
9) удельное сопротивление эмиттера.
Построить вольт-амперную характеристику диода.
Вариант 40
Дано
Материал: Ge
Тип диода: p+–n
T=395 К;
Uобр доп=290 В;
jн=0,12 А/см2;
S=10-3 см2
Вариант 11
Задача 1
Rб = 400; Rк = 200; Iко = 10 мкА; Еп = 8 В; Uвх = 0.5 В; β = 98.
Определить: iк.

Имеется полупроводник p- типа. Каким будет положение уровня Ферми относительно энергии акцепторного уровня при Т=0 и при некоторой температуре Т=Тmax? Обоснуйте свои выводы.Дайте определение полупроводникового диода. Приведите его условное графическое обозначение, обозначьте на нем названия электродов и поясните их функциональное назначение.
СОВРЕМЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ (Лабораторная работа)
4.1. Исследование МОП транзистора
4.1.1. Основные положения
4.1.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на МОПТ
4.2. Исследование биполярного транзистора с изолированным затвором
4.2.1. Основные положения4.2.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на БТИЗ

10. Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, являются (укажите правильный ответ – 2 балла):
10.1) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе
10.2) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
10.3) зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении на коллекторе
10.4) зависимость тока коллектора от напряжения база-коллектор при постоянном токе эмиттера
10.5) зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжениии на базе
Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для толстой базы выполняются условия Cбrд=Cб•φT/I, Cдrд=τ;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие
Cбrд=Cдrд;
Примите Сб = 23 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.
Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты

Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой