Артикул: 1160635

Раздел:Технические дисциплины (104345 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3586 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (1001 шт.)

Название или условие:
Задача 3. Вычислить диффузионные длины для электронов в германии p-типа и дырок в германии n-типа, если время жизни неосновных носителей заряда τ_n = τ_p = 10^-4 с, коэффициенты диффузии для германия p-типа Dn = 99•10^-4 м²/с и для германия n-типа Dp = 47•10^-4 м²/с.

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Полевой транзистор с p-n-переходом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала	Задание 3 В режиме насыщения биполярного транзистора • Эмиттерный переход открыт, коллекторных закрыт • Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт • Оба p-n-перехода открыты • Оба p-n-перехода закрыты.
ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1	Задание 4 На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 1 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор? • Транзистор заперт • Транзистор находится в режиме насыщения • Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления • Этот режим недопустим для транзистора.
С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания) • Увеличивается • Уменьшается • Остается неизменным • Задержка выключения не существует	Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)
Ток через p-n-переход протекает, если • Потенциал p-области более положительный, чем n-области • Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области • Обе области p и n имеют одинаковый потенциал • Потенциалы к областям p и n не приложены	В полупроводнике p-типа основными носителями являются • Электроны • Отрицательные ионы • Положительные ионы • Дырки
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала	Сколько режимов работы есть у биполярного транзистора? Укажите возможные состояния p-n-перехода транзистора • Один • Два • Три • Четыре