Артикул: 1159930

Раздел:Технические дисциплины (103723 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3526 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (994 шт.)

Название или условие:
Полупроводниковые приборы
Схема замещения БПТ на переменном токе в области средних частот.

Описание:
Ответ на теоретический вопрос экзамена - 1 страница

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является стоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания)
• Увеличивается
• Уменьшается
• Остается неизменным
• Задержка выключения не существует
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)

Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2.
Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.

Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 2,0 мА, коэффициент усиления тока базы 39. Чему равен ток коллектора?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до сотых долей.
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является истоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором усиливаются обе полуволны входного напряжения, а рабочая точка выбирается в середине линейного участка входной характеристики транзистора?
• Классу А
• Классу В
• Классу С
• Классу АВ
В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора
• Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты