Артикул: 1159926

Раздел:Технические дисциплины (103719 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3522 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (990 шт.)

Название или условие:
Полупроводниковые приборы
Диоды и их классификация.

Описание:
Ответ на теоретический вопрос экзамена - 1 страница

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Цель работы: Овладение методикой экспериментального исследования и приобретение опыта практических испытаний полупроводникового выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона (далее просто диода и стабилитрона).
Вариант 22 (Диод 1N914; Стабилитрон 1N4748)

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Вариант 11
Задача 1
Rб = 400; Rк = 200; Iко = 10 мкА; Еп = 8 В; Uвх = 0.5 В; β = 98.
Определить: iк.

Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Дайте определение полупроводникового диода. Приведите его условное графическое обозначение, обозначьте на нем названия электродов и поясните их функциональное назначение.Выходная характеристика полевого транзистора
1. Ic = f(Uс-и), Uз-и = const
2. Iз = f(Uз-и), Uс-и = const
3. Iс = f(Uз-и), Uс-и = const
Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Какой режим работы транзистора соответствует области 1 на передаточной характеристики транзисторного ключа?
1. Активный
2. Отсечки
3. Насыщения
4. Инверсный
5. Малого тока базы

Для диода с резким p-n-переходом рассчитать:
1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода;
2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода;
3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода;
4) удельное сопротивление базы;
5) контактную разность потенциалов;
6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
9) удельное сопротивление эмиттера.
Построить вольт-амперную характеристику диода.
Вариант 40
Дано
Материал: Ge
Тип диода: p+–n
T=395 К;
Uобр доп=290 В;
jн=0,12 А/см2;
S=10-3 см2
Имеется переход и выполняется условие p>>n
а) Докажите, что справедливо равенство
Δφ0FpFn .
б) Получите формулу для максимального значения диффузионного потенциала в переходе для невырожденного полупроводника.
в) Переход образован из полупроводников типа-n и p, причем концентрации примесей соответствуют границам вырождения. Объясните, какого типа получится переход и почему.