Артикул: 1159205

Раздел:Технические дисциплины (103036 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3454 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (980 шт.)

Название или условие:
Отчет по лабораторной работе №1
«Исследование полупроводниковых диодов»
Цель работы: изучение устройства полупроводникового диода, физических процессов, происходящих в нём; исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов.
Диод 1N4150
Стабилитрон 1N4730

Описание:
Подробное решение в WORD (14 страниц)+файлы Multisim+файл MathCad

Поисковые тэги: Стабилитроны, Multisim

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)	Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2. Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.
Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)	МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току? • Схема с общей базой • Схема с общим эмиттером • Схема с общим коллектором • Любая схема имеет усиление по току	Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 2,0 мА, коэффициент усиления тока базы 39. Чему равен ток коллектора? В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до сотых долей.
Задание 9 При изменении тока от 4-х до 20 мА напряжение на стабилитроне изменилось на 0,12 В. Чему равно дифференциальное сопротивление этого стабилитрона?	В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора • Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт • Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт • Оба p-n-перехода открыты • Оба p-n-перехода закрыты
Ток через p-n-переход протекает, если • Потенциал p-области более положительный, чем n-области • Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области • Обе области p и n имеют одинаковый потенциал • Потенциалы к областям p и n не приложены	В полупроводнике p-типа основными носителями являются • Электроны • Отрицательные ионы • Положительные ионы • Дырки