Артикул: 1158895

Раздел:Технические дисциплины (102752 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3415 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (960 шт.)

Название или условие:
3адача 4. По заданным статическим характеристикам полевых транзисторов выполнить следующие графо-аналитические расчеты для усилительного каскада:
а) построить линию нагрузки;
б) построить временные диаграммы токов и напряжений прибора и выявить наличие или отсутствие заметных искажений формы сигнала;
в) для линейного (малоискажающего) режима определить входное и выходное сопротивления прибора и рассчитать коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP.
Вариант 01
Исходные данные: EС = 50 В; IС0 = 1,5 A; UСИ0 = 20 В; UМЗИ = 15 В; транзистор – КП 907.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>3адача 4.</b> По заданным статическим характеристикам полевых транзисторов выполнить следующие графо-аналитические расчеты для усилительного каскада: 	<br />а)	построить линию нагрузки; 	<br />б)	построить временные диаграммы токов и напряжений прибора и выявить наличие или отсутствие заметных искажений формы сигнала; 	<br />в)	для линейного (малоискажающего) режима определить входное и выходное сопротивления прибора и рассчитать коэффициенты усиления по току K<sub>I</sub> , напряжению K<sub>U</sub>  и мощности K<sub>P</sub>.<br /><b>Вариант 01</b><br />  Исходные данные: E<sub>С</sub> = 50 В; I<sub>С0</sub> = 1,5 A;  U<sub>СИ0</sub> = 20 В; U<sub>МЗИ</sub> = 15 В; транзистор – КП 907.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой.
1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах.
2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.
Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.
Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98
Определить Iэ

ЗАДАЧА № 1.
Расчет параметров полупроводниковых диодов
Вариант 4

P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

Лабораторная работа №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ»
Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры:
– тип контакта (омический или Шотки);
– сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются:
– контактная разность потенциалов;
– толщина;
– тепловой ток;
– барьерная емкость.
Вариант 3

Построить, с комментариями, передаточную характеристику и сфазированные диаграммы напряжений u1(t) и u2(t), если u1(t) = Um•sin(ωt), причем Um = 6В, R1=R2. Определить среднее значение выходного напряжения
Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.
Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.