Артикул: 1158892

Раздел:Технические дисциплины (102749 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3412 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (957 шт.)

Название или условие:
3адача 1. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора (рис. П.1 и П.2 приложения 3) выполнить следующие графо-аналитические расчеты для усилительного каскада:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;
в) рассчитать для линейного (малоискажающего) режима входное сопротивление, а также коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP . Найти полезную мощность в нагрузке PR и мощность PK, рассеиваемую в коллекторе.
Вариант 56
Исходные данные: EК = 56 В; RН = 12 Ом; IБ=100 мА; IМБ =40 мА; транзистор – КТ 842

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>3адача 1.</b> По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора (рис. П.1 и П.2 приложения 3) выполнить следующие графо-аналитические расчеты для усилительного каскада: 	<br />а) построить линию нагрузки; 	<br />б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала; <br />в) рассчитать для линейного (малоискажающего) режима входное сопротивление, а также коэффициенты усиления по току K<sub>I</sub> , напряжению K<sub>U</sub>  и мощности K<sub>P</sub> . Найти полезную мощность в нагрузке P<sub>R</sub>   и мощность P<sub>K</sub>, рассеиваемую в коллекторе. <br /><b>Вариант 56</b> <br />Исходные данные: EК = 56 В; RН = 12 Ом; IБ=100 мА; IМБ =40 мА; транзистор – КТ 842

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

В несимметричном p-n-переходе область с меньшей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
В полупроводнике p-типа основными носителями являются
• Электроны
• Отрицательные ионы
• Положительные ионы
• Дырки
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)

Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току?
• Схема с общей базой
• Схема с общим эмиттером
• Схема с общим коллектором
• Любая схема имеет усиление по току
Задание 4
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 1 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор?

• Транзистор заперт
• Транзистор находится в режиме насыщения
• Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления
• Этот режим недопустим для транзистора.

ЗАДАНИЕ №1
Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить
1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С;
2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода;
3. Исходные данные в табл.1.
Вариант 5, рисунок 1

Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой?
• Параметр h11б
• Параметр h12б
• Параметр h21б
• Параметр h22б