Артикул: 1158887

Раздел:Технические дисциплины (102744 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3407 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (952 шт.)

Название или условие:
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ) и по статическим вольтамперным характеристикам определить h-параметры транзистора.
Выбираем биполярный транзистор 2N2712

Описание:
Подробное решение в WORD+файл Multisim

Поисковые тэги: Multisim

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора • Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт • Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт • Оба p-n-перехода открыты • Оба p-n-перехода закрыты	Сколько режимов работы есть у биполярного транзистора? Укажите возможные состояния p-n-перехода транзистора • Один • Два • Три • Четыре
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.	Ток через p-n-переход протекает, если • Потенциал p-области более положительный, чем n-области • Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области • Обе области p и n имеют одинаковый потенциал • Потенциалы к областям p и n не приложены
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы? В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.	На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 3 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор? • Транзистор заперт • Транзистор находится в режиме насыщения • Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления • Этот режим недопустим для транзистора.
Полевой транзистор с p-n-переходом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала	ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1
Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току? • Схема с общей базой • Схема с общим эмиттером • Схема с общим коллектором • Любая схема имеет усиление по току	Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются • МОП-транзисторы с индуцируемым каналом • МОП-транзисторы с встроенным каналом • МОП-транзисторы любого типа • Любые полевые транзисторы, включая унитроны