Артикул: 1157333

Раздел:Технические дисциплины (101341 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3284 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (923 шт.)

Название или условие:
Практическая работа № 2
Рассчитайте необходимое количество последовательно соединенных диодов, если максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода составляет Uобр.max, максимальное значение обратного напряжения в схеме выпрямления на ветви с последовательно включенными диодами U´обр.mах.
Определите значение обратного напряжения на каждом диоде, если обратные сопротивления диодов Rобр1, Rобр2, Rобр3. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания обратного напряжения на диодах.
Рассчитайте необходимое количество параллельно соединенных диодов, если максимально допустимый прямой ток одного диода Iпр.max, а ток нагрузки Iн. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания токов параллельно включенных диодов.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Практическая работа № 2</b> <br />Рассчитайте необходимое количество последовательно соединенных диодов, если максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода составляет Uобр.max, максимальное значение обратного напряжения в схеме выпрямления на ветви с последовательно включенными диодами U´обр.mах. 	<br />Определите значение обратного напряжения на каждом диоде, если обратные сопротивления диодов Rобр1, Rобр2, Rобр3. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания обратного напряжения на диодах. 	<br />Рассчитайте необходимое количество параллельно соединенных диодов, если максимально допустимый прямой ток одного диода Iпр.max, а ток нагрузки Iн. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания токов параллельно включенных диодов.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются
• МОП-транзисторы с индуцируемым каналом
• МОП-транзисторы с встроенным каналом
• МОП-транзисторы любого типа
• Любые полевые транзисторы, включая унитроны
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является истоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

Ток через p-n-переход протекает, если
• Потенциал p-области более положительный, чем n-области
• Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области
• Обе области p и n имеют одинаковый потенциал
• Потенциалы к областям p и n не приложены
В несимметричном p-n-переходе область с меньшей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является стоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания)
• Увеличивается
• Уменьшается
• Остается неизменным
• Задержка выключения не существует
Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором на базу транзистора подаётся запирающее напряжение, в результате чего ток через транзистор протекает только в течении части полупериода входного напряжения?
• Классу А
• Классу В
• Классу С
• Классу АВ
В полупроводнике p-типа основными носителями являются
• Электроны
• Отрицательные ионы
• Положительные ионы
• Дырки