Артикул: 1156937

Раздел:Технические дисциплины (100984 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3227 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (911 шт.)

Название или условие:
6. Представьте структурную схему полевого транзистора.

Описание:
Ответ на вопрос теста

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в слуычае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Имеется полупроводник p- типа. Каким будет положение уровня Ферми относительно энергии акцепторного уровня при Т=0 и при некоторой температуре Т=Тmax? Обоснуйте свои выводы.Имеется переход и выполняется условие p>>n
а) Докажите, что справедливо равенство
Δφ0FpFn .
б) Получите формулу для максимального значения диффузионного потенциала в переходе для невырожденного полупроводника.
в) Переход образован из полупроводников типа-n и p, причем концентрации примесей соответствуют границам вырождения. Объясните, какого типа получится переход и почему.
Приведите графическое изображение вольт-амперных характеристик представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на них его основные параметры и дайте их определение.
Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой
Для диода с резким p-n-переходом рассчитать:
1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода;
2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода;
3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода;
4) удельное сопротивление базы;
5) контактную разность потенциалов;
6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
9) удельное сопротивление эмиттера.
Построить вольт-амперную характеристику диода.
Вариант 40
Дано
Материал: Ge
Тип диода: p+–n
T=395 К;
Uобр доп=290 В;
jн=0,12 А/см2;
S=10-3 см2
Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = -0,4 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Цель работы: Овладение методикой экспериментального исследования и приобретение опыта практических испытаний полупроводникового выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона (далее просто диода и стабилитрона).
Вариант 22 (Диод 1N914; Стабилитрон 1N4748)

Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Входное сопротивление полевого транзистора с изолированным затвором:
1. 10 Ом 2. 100 Ом. 3. 106 Ом