Артикул: 1156920

Раздел:Технические дисциплины (100984 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3221 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (910 шт.)

Название или условие:
4. Как изменится Uвых усилителя (если Uвх = const) при увеличении Rк?

Описание:
Ответ на вопрос теста

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты

Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для толстой базы выполняются условия Cбrд=Cб•φT/I, Cдrд=τ;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие
Cбrд=Cдrд;
Примите Сб = 23 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.
Вариант 11
Задача 1
Rб = 400; Rк = 200; Iко = 10 мкА; Еп = 8 В; Uвх = 0.5 В; β = 98.
Определить: iк.

Задача 4,4
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, определить ток коллектора Iк, коэффициент усиления h21э, величину сопротивлений нагрузки Rк и мощность на коллекторе Pк, если известно напряжение на базе Uбэ = 0,25 В, напряжение на коллекторе Uкэ = 10 В и напряжение питания Eк = 20 В.
Дано
Uбэ=0,25 В; Uкэ=10 В; Eк=20 В;

По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = -0,4 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Приведите графическое изображение вольт-амперных характеристик представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на них его основные параметры и дайте их определение.
Имеется переход и выполняется условие p>>n
а) Докажите, что справедливо равенство
Δφ0FpFn .
б) Получите формулу для максимального значения диффузионного потенциала в переходе для невырожденного полупроводника.
в) Переход образован из полупроводников типа-n и p, причем концентрации примесей соответствуют границам вырождения. Объясните, какого типа получится переход и почему.
Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Цель работы: Овладение методикой экспериментального исследования и приобретение опыта практических испытаний полупроводникового выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона (далее просто диода и стабилитрона).
Вариант 22 (Диод 1N914; Стабилитрон 1N4748)

СОВРЕМЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ (Лабораторная работа)
4.1. Исследование МОП транзистора
4.1.1. Основные положения
4.1.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на МОПТ
4.2. Исследование биполярного транзистора с изолированным затвором
4.2.1. Основные положения4.2.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на БТИЗ