Артикул: 1156709

Раздел:Технические дисциплины (100777 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3195 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (899 шт.)

Название или условие:
39. Перечислите виды внешней обратной связи в усилителях. Какая обратная связь называется положительной, а какая отрицательной?

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для толстой базы выполняются условия Cбrд=Cб•φT/I, Cдrд=τ;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие
Cбrд=Cдrд;
Примите Сб = 23 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.
Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Имеем диоды, выполненные из полупроводниковых материалов германия и кремния.
А) Докажите, что выполняется соотношение: (см. рисунок) Где rдSi; rдGe – дифференциальные сопротивления переходов. Доказательство провести для условий, что составляющие тепловых токов и внешние напряжения, приложенные к диодам, одинаковые
Б) Рассчитайте температурную зависимость отношения дифференциальных сопротивлений пункта а) при изменении температуры от -40 до 80 °С.

Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты

Лабораторная работа 13
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

Цель работы: изучение свойств и экспериментальные исследования биполярных транзисторов.
Вариант 22 (транзистор 2N6058)

Лабораторная работа №6
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

Цель работы: изучение принципа действия, исследование статических характеристик и определение дифференциальных параметров биполярного транзистора (БПТ), включенного по схеме: общий эмиттер (ОЭ).

Выходная характеристика полевого транзистора
1. Ic = f(Uс-и), Uз-и = const
2. Iз = f(Uз-и), Uс-и = const
3. Iс = f(Uз-и), Uс-и = const
11. Сопротивление канала в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом изменяется при изменении (укажите правильный ответ – 2 балла):
11.1) удельного сопротивления материала канала
11.2) длины канала
11.3) напряжения сток-исток
11.4) поперечной площади канала
11.5) тока, протекающего от затвора в канал
Приведите графическое изображение вольт-амперных характеристик представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на них его основные параметры и дайте их определение.
Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.