Артикул: 1156706

Раздел:Технические дисциплины (100777 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3195 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (899 шт.)

Название или условие:
36. Какой из двух усилителей: резистивный или резонансный, нужно использовать для усиления речевого сигнала, а какой – для усиления сигнала телевизионной станции? Что случится, если выбор усилителя будет сделан ошибочно?

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.	Задача №2. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы): а) исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом; б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ; в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) построить линию нагрузки; д) рассчитать ток базы включения IБвкл; е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл; ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено ''; з) построить временные диаграммы токов и напряжений
Е1=0.8 В; Е2=15 В; RЭ=8 К; RК=16 К; β=95. Определить: iЭ, iБ	Лабораторная работа № 1 Исследование выпрямительного полупроводникового диода 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характеристикам.
Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1	Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98 Определить Iэ
Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить: 1. Сопротивление базы диода. 2. Толщину базы диода. 3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении. 4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы. 5. Построить Вольт-амперную характеристику.	ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2 «Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов» Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи: − изучить теоретический материал; − построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков; − построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор; − выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально; − вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации
Лабораторная работа: ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров. Вариант 8 (транзистор BSS71)	Лабораторная работа № 3, 4 Исследование характеристик биполярного транзистора 1. Цель работы Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.